|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28440 | 28441 | 28442 | 28443 | 28444 | 28445 | 28446 | 28447 | 28448 | 28449 | 28450 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1137761MJ90180V Darlington de putere complementareComset Semiconductors
1137762MJ901Manșon Trans GP BJT PNP 80V 8A cu 3 pini (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
1137763MJB18004D2T4-DTranzistor de putere NPN bipolar de mare viteză, cu câștig ridicat, cu diodă integrată de colector-emițător și rețea de antisaturare eficientă încorporată D2PAK pentru montare pe suprafață TRANSISTORI DE PUTERE 5 AMPERI 1000 VOLȚI 75 WATTSON Semiconductor
1137764MJB32BPNP SILICON POWER TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1137765MJB32BPNP SILICON POWER TRANSISTORST Microelectronics
1137766MJB41CTranzistori de putere complementari din siliciu din plasticON Semiconductor
1137767MJB41C-DTranzistori de putere complementari din siliciu din plastic D2PAK pentru montare pe suprafațăON Semiconductor
1137768MJB41CT4Tranzistori de putere complementari din siliciu din plasticON Semiconductor
1137769MJB42CTranzistori de putere complementari din siliciu din plasticON Semiconductor
1137770MJB42CT4Tranzistori de putere complementari din siliciu din plasticON Semiconductor
1137771MJB44H11Tranzistori de putere complementareON Semiconductor
1137772MJB44H11-DTranzistoare de putere complementare D2 PAK pentru montare pe suprafațăON Semiconductor
1137773MJB44H11T4Tranzistori de putere complementareON Semiconductor
1137774MJB44H11T4De joasa tensiune NPN putere tranzistorST Microelectronics
1137775MJB44H11T4-AAutomotive-calitate joasă tensiune de alimentare tranzistor NPNST Microelectronics
1137776MJB45H11Tranzistori de putere complementareON Semiconductor
1137777MJB45H11T4Tranzistori de putere complementareON Semiconductor
1137778MJB5742NPN putere Darlington TransistorON Semiconductor
1137779MJD112NPN Silicon Darlington TranzistorFairchild Semiconductor
1137780MJD112Darlington TranzistorKorea Electronics (KEC)
1137781MJD112DPACK Tranzistoare biploare încapsulate din plasticMicro Commercial Components
1137782MJD112TRANSISTORE DE PUTERE DIN SILICON 2 AMPERI 100 VOLȚI 20 WATTSMotorola
1137783MJD112Putere 2A 100V Darlington NPNON Semiconductor
1137784MJD112TRANZISTOARE SUPLIMENTARE Silicon Power DarlingtonSGS Thomson Microelectronics
1137785MJD112TRANZISTOARE SUPLIMENTARE Silicon Power DarlingtonSGS Thomson Microelectronics
1137786MJD112TRANSISTORE DARLINGTON PENTRU SILICIU COMPLEMENTARST Microelectronics
1137787MJD112-001Putere 2A 100V Darlington NPNON Semiconductor
1137788MJD112-1Complementare Darlington de putere TranzistoriON Semiconductor
1137789MJD112-DTranzistori de putere Darlington DPAK complementari pentru aplicații de montare pe suprafațăON Semiconductor
1137790MJD1121TRANSISTORE DE PUTERE DIN SILICON 2 AMPERI 100 VOLȚI 20 WATTSMotorola
1137791MJD112LDarlington TranzistorKorea Electronics (KEC)
1137792MJD112RLPutere 2A 100V Darlington NPNON Semiconductor
1137793MJD112T4TRANSISTORE DE PUTERE DIN SILICON 2 AMPERI 100 VOLȚI 20 WATTSMotorola
1137794MJD112T4Putere 2A 100V Darlington NPNON Semiconductor
1137795MJD112T4TRANZISTOARE SUPLIMENTARE Silicon Power DarlingtonST Microelectronics
1137796MJD112TFNPN Silicon Darlington TranzistorFairchild Semiconductor
1137797MJD117PNP Silicon Darlington TranzistorFairchild Semiconductor
1137798MJD117Darlington TranzistorKorea Electronics (KEC)
1137799MJD117Darlington complementar putere tranzistorMotorola
1137800MJD117Putere 2A 100V Darlington PNPON Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28440 | 28441 | 28442 | 28443 | 28444 | 28445 | 28446 | 28447 | 28448 | 28449 | 28450 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com