|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28436 | 28437 | 28438 | 28439 | 28440 | 28441 | 28442 | 28443 | 28444 | 28445 | 28446 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1137601MJ21193-DTranzistoare de putere din siliciuON Semiconductor
1137602MJ21194Silicon Power tranzistorMotorola
1137603MJ21194Putere 16A 250V NPNON Semiconductor
1137604MJ21194Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-3Savantic
1137605MJ21195Putere, 16A, 250V, PNPON Semiconductor
1137606MJ21195-DTranzistoare de putere din siliciuON Semiconductor
1137607MJ21196Putere, 16A, 250V, NPNON Semiconductor
1137608MJ219416 ampere tranzistori de putere complementari din siliciu 250 volți 250 wațiMotorola
1137609MJ2253Dispozitiv PNP bipolar într-un pachet metalic hermetic TO66.SemeLAB
1137610MJ2400Controler de curent năvalăShindengen
1137611MJ2400Circuite integrate de alimentare / controlere de curent de intrare (seria MJ)Shindengen
1137612MJ250060V siliciu epitaxial-bază DarlingtonComset Semiconductors
1137613MJ250010 AMPERE DARLINGTON TRANSISTORI DE PUTERE SILICIU COMPLEMENTAR 60,80 VOLȚI 150 WATTSMotorola
1137614MJ2500SILICONUL COMPLEMENTAR AL TRANSISTORELOR DE MEDIE PUTERENew Jersey Semiconductor
1137615MJ2500Pachet tranzistori de putere PNP silicon TO-3Savantic
1137616MJ2500DSILICONUL COMPLEMENTAR AL TRANSISTORELOR DE MEDIE PUTERENew Jersey Semiconductor
1137617MJ250180V siliciu epitaxial-bază DarlingtonComset Semiconductors
1137618MJ2501Mediu-putere tranzistor de siliciu complementareMotorola
1137619MJ2501Husa Trans Darlington PNP 80V 10A cu 3 pini (2 + Tab) TO-3New Jersey Semiconductor
1137620MJ2501De putere medie complementare Tranzistore de siliciuON Semiconductor
1137621MJ2501Pachet tranzistori de putere PNP silicon TO-3Savantic
1137622MJ2501TRANZISTOARE SUPLIMENTARE Silicon Power DarlingtonSGS Thomson Microelectronics
1137623MJ2501TRANZISTOARE SUPLIMENTARE Silicon Power DarlingtonSGS Thomson Microelectronics
1137624MJ2501TRANSISTORE DARLINGTON PENTRU SILICIU COMPLEMENTARST Microelectronics
1137625MJ2501-DDe putere medie complementare Tranzistore de siliciuON Semiconductor
1137626MJ281232 CUVINTE X 8 BIT FIFO MEMORYZarlink Semiconductor
1137627MJ2955TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREBoca Semiconductor Corporation
1137628MJ2955Tranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
1137629MJ2955115.000W de putere PNP metal poate tranzistor. 60V Vceo, 15.000A Ic, 5 hFE.Continental Device India Limited
1137630MJ2955Tranzistor de mare putere siliciu PNP epitaxială-bază. -100V, 150W.General Electric Solid State
1137631MJ2955TRANSISTORE DE PUTERE (15A, 50V, 115W)MOSPEC Semiconductor
1137632MJ2955Siliciu complementar putere tranzistorMotorola
1137633MJ2955Putere 15A 60V PNP discretON Semiconductor
1137634MJ2955Pachet tranzistori de putere PNP silicon TO-3Savantic
1137635MJ2955TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
1137636MJ2955TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
1137637MJ2955TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
1137638MJ2955PNP tranzistor de mare putere. Proiectat pentru uz general de comutare și aplicarea amplificator. Vceo = 60VDC, Vcer = 70Vdc, VCB = 100VDC Ic = 15Adc, PD = 115W.USHA India LTD
1137639MJ2955PNP TRANSISTOR PLANAR DE SILICIU (AMPLIFICATOR DE PUTERE AUDIO DC-DC CONVERTITOR)Wing Shing Computer Components
1137640MJ2955ATRANSISTORE COMPLEMENTARE DE SILICIU DE ÎNALTĂ PUTEREBoca Semiconductor Corporation
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28436 | 28437 | 28438 | 28439 | 28440 | 28441 | 28442 | 28443 | 28444 | 28445 | 28446 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com