|
K6R1008V1B-I-P este fabricat de:
|
| RAM static de mare viteză 128Kx8 biți (funcționare de 3,3V), ieșire revoluționară. Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K6R1008V1B, K6R1008V1B-B-L, K6R1008V1B-B-P, K6R1008V1B-C-L, K6R1008V1B-C10 |
Downloadează sau descarcă K6R1008V1B-I-P datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 187 kb |
| K6R1008V1B-C8 | Vezi K6R1008V1B-I-P în catalogul nostru | K6R1008V1B-I10 |