K6R1008V1B-B-P este fabricat de:
|
RAM static de mare viteză 128Kx8 biți (funcționare de 3,3V), ieșire revoluționară. Operat la intervale de temperatură comerciale și industriale Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K6R1008V1B, K6R1008V1B-C10, K6R1008V1B-C12, K6R1008V1B-C8, K6R1008V1B-I-P |
Downloadează sau descarcă K6R1008V1B-B-P datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 187 kb |
K6R1008V1B-B-L | Vezi K6R1008V1B-B-P în catalogul nostru | K6R1008V1B-C-L |