|
IRF8327STR1PBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF8327STR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 315 kb |
| IRF8327S | Vezi IRF8327STR1PBF în catalogul nostru | IRF833 |