IRF8327S este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF8327S datasheet de la International Rectifier |
pdf 315 kb |
IRF832 | Vezi IRF8327S în catalogul nostru | IRF8327STR1PBF |