IRF8301M este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MT evaluat la 34 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF8301M datasheet de la International Rectifier |
pdf 338 kb |
IRF830-D | Vezi IRF8301M în catalogul nostru | IRF8301MTRPBF |