IRF830-D datasheet sau date tehnice în format pdf - Tranzistor cu efect de câmp de putere Mod de îmbunătățire a canalului N Silicon Gate TMOS

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

IRF830-D este fabricat de:

Tranzistor cu efect de câmp de putere Mod de îmbunătățire a canalului N Silicon Gate TMOS

Downloadează sau descarcă IRF830-D datasheet de la
ON Semiconductor

PDF
69 kb

Vezi IRF830-D în catalogul nostru