|
IRF6712STR1PBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 17 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6712STR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 289 kb |
| IRF6712S | Vezi IRF6712STR1PBF în catalogul nostru | IRF6712STRPBF |