|
IRF6712S este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 17 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF6712STRPBF |
Downloadează sau descarcă IRF6712S datasheet de la International Rectifier |
pdf 289 kb |
| IRF6711STRPBF | Vezi IRF6712S în catalogul nostru | IRF6712STR1PBF |