|
GES5813 este fabricat de:
|
| Planar pasivizat epitaxial tranzistor de siliciu PNP. -25V, -750mA. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: GES5810, GES5811, GES5812 |
Downloadează sau descarcă GES5813 datasheet de la General Electric Solid State |
pdf 94 kb |
| GES5812-J1 | Vezi GES5813 în catalogul nostru | GES5813-J1 |