GES5811 este fabricat de:
|
Planar pasivizat epitaxial tranzistor de siliciu PNP. -25V, -750mA. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: GES5810, GES5812, GES5813 |
Downloadează sau descarcă GES5811 datasheet de la General Electric Solid State |
pdf 94 kb |
GES5810-J1 | Vezi GES5811 în catalogul nostru | GES5811-J1 |