|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


WJ Communications

Datasheet Catalog - Pagina 5

Datasheet-uri găsite :: 287Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
Nr.NumeDescriere
201ECP103D-PCB2450Amplificator InGaP HBT de 1 W, liniaritate ridicată
202ECP103D-PCB2650Amplificator InGaP HBT de 1 W, liniaritate ridicată
203ECP103GAmplificator InGaP HBT de 1 W, liniaritate ridicată
204ECP103G-PCB2450Amplificator InGaP HBT de 1 W, liniaritate ridicată
205ECP103G-PCB2650Amplificator InGaP HBT de 1 W, liniaritate ridicată
206ECP203Amplificator HBT InGaP de 2 W, liniaritate ridicată
207ECP203DAmplificator HBT InGaP de 2 W, liniaritate ridicată
208ECP203D-PCB2450Amplificator HBT InGaP de 2 W, liniaritate ridicată
209ECP203D-PCB2650Amplificator HBT InGaP de 2 W, liniaritate ridicată
210ECP203GAmplificator HBT InGaP de 2 W, liniaritate ridicată
211ECP203G-PCB2450Amplificator HBT InGaP de 2 W, liniaritate ridicată
212ECP203G-PCB2650Amplificator HBT InGaP de 2 W, liniaritate ridicată
213FH101FET cu nivel dinamic ridicat
214FH101-GFET cu nivel dinamic ridicat
215FHF1FET cu nivel dinamic ridicat
216FP11891/2 watt HFET
217FP1189-PCB-19001/2 watt HFET
218FP1189-PCB-9001/2 watt HFET
219FP2189performanță ridicată HFET de 1 watt (HET de structură) într-o suprafață SOT-89 cu cost redus
220FP2189-PCB1900Sperformanță ridicată HFET de 1 watt (HET de structură) într-o suprafață SOT-89 cu cost redus
221FP2189-PCB2140Sperformanță ridicată HFET de 1 watt (HET de structură) într-o suprafață SOT-89 cu cost redus
222FP2189-PCB900Sperformanță ridicată HFET de 1 watt (HET de structură) într-o suprafață SOT-89 cu cost redus
223FP31QFHFET de 2 wați
224FP31QF-FHFET de 2 wați
225FP31QF-PCB1900HFET de 2 wați
226FP31QF-PCB2140HFET de 2 wați
227FP31QF-PCB900HFET de 2 wați
228HMJ1Mixer FET cu gamă dinamică ridicată
229HMJ1-PCBMixer FET cu gamă dinamică ridicată
230HMJ5Comunicarea Edge Communicationsâ
231HMJ5-PCBComunicarea Edge Communicationsâ
232HMJ7Comunicarea Edge Communicationsâ
233HMJ7-PCBComunicarea Edge Communicationsâ
234MH101Mixer MMIC cu gamă dinamică ridicată
235MH101-PCBMixer MMIC cu gamă dinamică ridicată
236MH102Mixer MMIC cu gamă dinamică ridicată
237MH102-PCBMixer MMIC cu gamă dinamică ridicată
238MH201Cu interval dinamic ridicat bandă celular MMIC mixer
239MH202Cu interval dinamic ridicat bandă celular MMIC mixer
240MH203Mixer MMIC cu bandă celulară de înaltă liniaritate
241MH203-PCBMixer MMIC cu bandă celulară de înaltă liniaritate
242MH204Cu interval dinamic ridicat bandă celular MMIC mixer
243MH303Mixer Quad-FET cu bandă celulară
244MH303-GMixer Quad-FET cu bandă celulară
245MH303-PCBMixer Quad-FET cu bandă celulară
246MK1001Cap RF cu SF1119 / Duplexeri SF1120
247R1910CÎn construirea PCS CDMA repetor
248R1910GÎn construirea PCS CDMA repetor
249R1910TÎn construirea PCS CDMA repetor
250R1920CÎn construirea PCS CDMA repetor
Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/wjcommunications/1/