|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Texas Instruments

Datasheet Catalog - Pagina 1123

Datasheet-uri găsite :: 134595Pagina: | 1118 | 1119 | 1120 | 1121 | 1122 | 1123 | 1124 | 1125 | 1126 | 1127 | 1128 |
Nr.NumeDescriere
112201TPS2001CDGNComutator de distribuție a energiei USB cu un singur canal, limitat de curent, 8-MSOP-PowerPAD -40 la 85
112202TPS2001CDGNRComutator de distribuție a energiei USB cu un singur canal, limitat de curent, 8-MSOP-PowerPAD -40 la 85
112203TPS2002CDual-Channel, Current-Limited, Power Switch-Distribution
112204TPS2002CDRCRComutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85
112205TPS2002CDRCTComutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85
112206TPS2003CDual-Channel, Current-Limited, Power Switch-Distribution
112207TPS2003CDRCRComutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85
112208TPS2003CDRCTComutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85
112209TPS20100,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112210TPS2010A0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112211TPS2010AD0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112212TPS2010ADG40,4A 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activat-activat scăzut 8-SOIC -40 la 85
112213TPS2010ADR0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112214TPS2010ADRG40,4A 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activat-activat scăzut 8-SOIC -40 la 85
112215TPS2010APWP0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112216TPS2010APWPR0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112217TPS2010D0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112218TPS2010DG40,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activ activ-scăzut activat 8-SOIC -40 până la 85
112219TPS2010DR0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112220TPS2010DRG40,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112221TPS2010PWDISTRIBUTIA PUTERII
112222TPS2010PWLE0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112223TPS2010PWR0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112224TPS20111.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112225TPS2011A1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112226TPS2011AD1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112227TPS2011ADG41.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112228TPS2011ADR1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112229TPS2011ADRG41.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112230TPS2011APWP1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112231TPS2011APWPR1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112232TPS2011D1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112233TPS2011DG41.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112234TPS2011DR1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112235TPS2011DRG41.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112236TPS2011PWDISTRIBUTIA PUTERII
112237TPS2011PWLE1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112238TPS2011PWR1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112239TPS2012Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112240TPS2012AComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112241TPS2012ADComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112242TPS2012ADG4IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85
112243TPS2012ADRComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112244TPS2012ADRG4IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85
112245TPS2012APWPComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112246TPS2012APWPRComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112247TPS2012DComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112248TPS2012DG4IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85
112249TPS2012DRComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112250TPS2012DRG4IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85
112251TPS2012PWDISTRIBUTIA PUTERII
112252TPS2012PWLEComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112253TPS2012PWRComutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112254TPS2013IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112255TPS2013AIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112256TPS2013ADIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112257TPS2013ADG4IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112258TPS2013ADRIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112259TPS2013ADRG4IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112260TPS2013APWPIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112261TPS2013APWPRIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112262TPS2013DIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112263TPS2013DG4IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112264TPS2013DRIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112265TPS2013DRG4IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85
112266TPS2013PWDISTRIBUTIA PUTERII
112267TPS2013PWLEIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112268TPS2013PWRIC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută
112269TPS20140,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută
112270TPS2014D0,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută
112271TPS2014DR0,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută
112272TPS2014P0,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută
112273TPS20151.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active
112274TPS2015D1.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active
112275TPS2015DR1.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active
112276TPS2015P1.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active
112277TPS20200,22A, 2,7-5,5V MOSFET Hi-Side IC cu schimbare la cald unică, raport de erori, activare activă
112278TPS2020-Q1Catalog auto 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, 8-SOIC -40 până la 85
112279TPS2020D0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, raport de erori, activare activă scăzută
112280TPS2020DG40,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85
112281TPS2020DR0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, raport de erori, activare activă scăzută
112282TPS2020DRG40,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85
112283TPS2020IDRQ1Catalog auto 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, 8-SOIC -40 până la 85
112284TPS2020P0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, raport de erori, activare activă scăzută
112285TPS20210,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă
112286TPS2021-Q1Catalog auto Comutator de distribuție a puterii 8-SOIC -40 la 85
112287TPS2021D0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă
112288TPS2021DG40,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85
112289TPS2021DR0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă
112290TPS2021DRG40,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85
112291TPS2021IDRQ1Catalog auto Comutator de distribuție a puterii 8-SOIC -40 la 85
112292TPS2021P0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă
112293TPS20221.1A, 2.7-5.5V MOSFET Hi-Side IC cu schimbare la cald unică, Raport de erori, Activare cu funcție redusă
112294TPS2022-Q1Catalog Automotive Power-Distribution Comutator
112295TPS2022D1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută
112296TPS2022D1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută
112297TPS2022DG41.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85
112298TPS2022DR1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută
112299TPS2022DR1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută
112300TPS2022DRG41.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85
Pagina: | 1 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | 290 | 300 | 310 | 320 | 330 | 340 | 350 | 360 | 370 | 380 | 390 | 400 | 410 | 420 | 430 | 440 | 450 | 460 | 470 | 480 | 490 | 500 | 510 | 520 | 530 | 540 | 550 | 560 | 570 | 580 | 590 | 600 | 610 | 620 | 630 | 640 | 650 | 660 | 670 | 680 | 690 | 700 | 710 | 720 | 730 | 740 | 750 | 760 | 770 | 780 | 790 | 800 | 810 | 820 | 830 | 840 | 850 | 860 | 870 | 880 | 890 | 900 | 910 | 920 | 930 | 940 | 950 | 960 | 970 | 980 | 990 | 1000 | 1010 | 1020 | 1030 | 1040 | 1050 | 1060 | 1070 | 1080 | 1090 | 1100 | 1110 | 1118 | 1119 | 1120 | 1121 | 1122 | 1123 | 1124 | 1125 | 1126 | 1127 | 1128 | 1130 | 1140 | 1150 | 1160 | 1170 | 1180 | 1190 | 1200 | 1210 | 1220 | 1230 | 1240 | 1250 | 1260 | 1270 | 1280 | 1290 | 1300 | 1310 | 1320 | 1330 | 1340 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/texasinstruments/1/