Nr. | Nume | Descriere |
112201 | TPS2001CDGN | Comutator de distribuție a energiei USB cu un singur canal, limitat de curent, 8-MSOP-PowerPAD -40 la 85 |
112202 | TPS2001CDGNR | Comutator de distribuție a energiei USB cu un singur canal, limitat de curent, 8-MSOP-PowerPAD -40 la 85 |
112203 | TPS2002C | Dual-Channel, Current-Limited, Power Switch-Distribution |
112204 | TPS2002CDRCR | Comutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85 |
112205 | TPS2002CDRCT | Comutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85 |
112206 | TPS2003C | Dual-Channel, Current-Limited, Power Switch-Distribution |
112207 | TPS2003CDRCR | Comutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85 |
112208 | TPS2003CDRCT | Comutator de distribuție a puterii cu două canale, limitat de curent, 10-VSON -40 la 85 |
112209 | TPS2010 | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112210 | TPS2010A | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112211 | TPS2010AD | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112212 | TPS2010ADG4 | 0,4A 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activat-activat scăzut 8-SOIC -40 la 85 |
112213 | TPS2010ADR | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112214 | TPS2010ADRG4 | 0,4A 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activat-activat scăzut 8-SOIC -40 la 85 |
112215 | TPS2010APWP | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112216 | TPS2010APWPR | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112217 | TPS2010D | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112218 | TPS2010DG4 | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activ activ-scăzut activat 8-SOIC -40 până la 85 |
112219 | TPS2010DR | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112220 | TPS2010DRG4 | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112221 | TPS2010PW | DISTRIBUTIA PUTERII |
112222 | TPS2010PWLE | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112223 | TPS2010PWR | 0,4 A, 2,7 până la 5,5 V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112224 | TPS2011 | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112225 | TPS2011A | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112226 | TPS2011AD | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112227 | TPS2011ADG4 | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112228 | TPS2011ADR | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112229 | TPS2011ADRG4 | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112230 | TPS2011APWP | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112231 | TPS2011APWPR | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112232 | TPS2011D | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112233 | TPS2011DG4 | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112234 | TPS2011DR | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112235 | TPS2011DRG4 | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112236 | TPS2011PW | DISTRIBUTIA PUTERII |
112237 | TPS2011PWLE | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112238 | TPS2011PWR | 1.2A, 2,7 până la 5,5V IC cu comutator MOSFET cu o singură parte înaltă, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112239 | TPS2012 | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112240 | TPS2012A | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112241 | TPS2012AD | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112242 | TPS2012ADG4 | IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85 |
112243 | TPS2012ADR | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112244 | TPS2012ADRG4 | IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85 |
112245 | TPS2012APWP | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112246 | TPS2012APWPR | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112247 | TPS2012D | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112248 | TPS2012DG4 | IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85 |
112249 | TPS2012DR | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112250 | TPS2012DRG4 | IC de comutare MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportarea defecțiunilor, activare scăzută activă 8-SOIC -40 până la 85 |
112251 | TPS2012PW | DISTRIBUTIA PUTERII |
112252 | TPS2012PWLE | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112253 | TPS2012PWR | Comutator MOSFET single-side 2.0A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112254 | TPS2013 | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112255 | TPS2013A | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112256 | TPS2013AD | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112257 | TPS2013ADG4 | IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112258 | TPS2013ADR | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112259 | TPS2013ADRG4 | IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112260 | TPS2013APWP | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112261 | TPS2013APWPR | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112262 | TPS2013D | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112263 | TPS2013DG4 | IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112264 | TPS2013DR | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112265 | TPS2013DRG4 | IC cu comutator MOSFET single-side 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare defecțiuni, activare activă scăzută 8-SOIC -40 până la 85 |
112266 | TPS2013PW | DISTRIBUTIA PUTERII |
112267 | TPS2013PWLE | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112268 | TPS2013PWR | IC de comutator MOSFET cu o singură parte înaltă de 2,6A, 2,7 până la 5,5V, fără raportare de erori, activare activă scăzută |
112269 | TPS2014 | 0,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută |
112270 | TPS2014D | 0,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută |
112271 | TPS2014DR | 0,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută |
112272 | TPS2014P | 0,66A, 4-5,5V MOSFET single Hi-Side, raport de erori, activare activă scăzută |
112273 | TPS2015 | 1.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active |
112274 | TPS2015D | 1.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active |
112275 | TPS2015DR | 1.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active |
112276 | TPS2015P | 1.1A, 4-5.5V MOSFET Single Hi-Side, Raport de erori, Act-Low Active |
112277 | TPS2020 | 0,22A, 2,7-5,5V MOSFET Hi-Side IC cu schimbare la cald unică, raport de erori, activare activă |
112278 | TPS2020-Q1 | Catalog auto 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, 8-SOIC -40 până la 85 |
112279 | TPS2020D | 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, raport de erori, activare activă scăzută |
112280 | TPS2020DG4 | 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85 |
112281 | TPS2020DR | 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, raport de erori, activare activă scăzută |
112282 | TPS2020DRG4 | 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85 |
112283 | TPS2020IDRQ1 | Catalog auto 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, 8-SOIC -40 până la 85 |
112284 | TPS2020P | 0,22A, 2,7-5,5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, raport de erori, activare activă scăzută |
112285 | TPS2021 | 0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă |
112286 | TPS2021-Q1 | Catalog auto Comutator de distribuție a puterii 8-SOIC -40 la 85 |
112287 | TPS2021D | 0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă |
112288 | TPS2021DG4 | 0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85 |
112289 | TPS2021DR | 0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă |
112290 | TPS2021DRG4 | 0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85 |
112291 | TPS2021IDRQ1 | Catalog auto Comutator de distribuție a puterii 8-SOIC -40 la 85 |
112292 | TPS2021P | 0,66 A, 2,7-5,5 V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de defecțiuni, activare activă |
112293 | TPS2022 | 1.1A, 2.7-5.5V MOSFET Hi-Side IC cu schimbare la cald unică, Raport de erori, Activare cu funcție redusă |
112294 | TPS2022-Q1 | Catalog Automotive Power-Distribution Comutator |
112295 | TPS2022D | 1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută |
112296 | TPS2022D | 1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută |
112297 | TPS2022DG4 | 1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85 |
112298 | TPS2022DR | 1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută |
112299 | TPS2022DR | 1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Activare scăzută |
112300 | TPS2022DRG4 | 1.1A, 2.7-5.5V întrerupător unic de distribuție a energiei IC Hi-Side MOSFET, Raport de erori, Act-Low Enable 8-SOIC -40 până la 85 |
| | |