|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Samsung Electronic

Datasheet Catalog - Pagina 54
Datasheet-uri găsite :: 9560Pagina: | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 |
Nr.NumeDescriere
5301KM416C1200BRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă
5302KM416C1200BJ-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5303KM416C1200BJ-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5304KM416C1200BJ-71m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 70ns
5305KM416C1200BJL-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5306KM416C1200BJL-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5307KM416C1200BJL-71m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 70ns
5308KM416C1200BT-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5309KM416C1200BT-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5310KM416C1200BT-71m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 70ns
5311KM416C1200BTL-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5312KM416C1200BTL-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5313KM416C1200BTL-71m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 70ns
5314KM416C1200CRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă
5315KM416C1200CJ-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5316KM416C1200CJ-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5317KM416C1200CJL-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5318KM416C1200CJL-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5319KM416C1200CT-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5320KM416C1200CT-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5321KM416C1200CTL-51m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns
5322KM416C1200CTL-61m x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns
5323KM416C1204BJ-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 45ns
5324KM416C1204BJ-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5325KM416C1204BJ-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5326KM416C1204BJ-75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70ns
5327KM416C1204BJ-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 45ns
5328KM416C1204BJ-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5329KM416C1204BJ-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5330KM416C1204BJ-L75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70ns
5331KM416C1204BT-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 45ns
5332KM416C1204BT-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5333KM416C1204BT-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5334KM416C1204BT-75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70ns
5335KM416C1204BT-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 45ns
5336KM416C1204BT-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5337KM416C1204BT-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5338KM416C1204BT-L75V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70ns
5339KM416C1204CRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date
5340KM416C1204CJ-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 45ns, VCC = 5.0V, reîmprospătare perioadei = 16 ms
5341KM416C1204CJ-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5342KM416C1204CJ-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 50ns, VCC = 5.0V, reîmprospătare perioadei = 16 ms
5343KM416C1204CJ-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5344KM416C1204CJ-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 60ns, VCC = 5.0V, reîmprospătare perioadei = 16 ms
5345KM416C1204CJ-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 45ns
5346KM416C1204CJ-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5347KM416C1204CJ-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5348KM416C1204CJL-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns, VCC = 5.0V, auto-refresh
5349KM416C1204CJL-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns, VCC = 5.0V, auto-refresh
5350KM416C1204CJL-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns, VCC = 5.0V, auto-refresh
5351KM416C1204CT-455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 45ns
5352KM416C1204CT-55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5353KM416C1204CT-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 50ns, VCC = 5.0V, reîmprospătare perioadei = 16 ms
5354KM416C1204CT-65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5355KM416C1204CT-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 60ns, VCC = 5.0V, reîmprospătare perioadei = 16 ms
5356KM416C1204CT-L455V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 45ns
5357KM416C1204CT-L55V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50ns
5358KM416C1204CT-L65V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60ns
5359KM416C1204CTL-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns, VCC = 5.0V, auto-refresh
5360KM416C1204CTL-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns, VCC = 5.0V, auto-refresh
5361KM416C1204CTL-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns, VCC = 5.0V, auto-refresh
5362KM416C254DRAM dinamic CMOS 256K x 16Bit cu ieșire extinsă de date
5363KM416C254DJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms refresh perioadă
5364KM416C254DJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms refresh perioadă
5365KM416C254DJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms refresh perioadă
5366KM416C254DJL-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, de auto-refresh
5367KM416C254DJL-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, de auto-refresh
5368KM416C254DJL-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, de auto-refresh
5369KM416C254DT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms refresh perioadă
5370KM416C254DT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms refresh perioadă
5371KM416C254DT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms refresh perioadă
5372KM416C254DTL-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 50ns, de auto-refresh
5373KM416C254DTL-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 60ns, de auto-refresh
5374KM416C254DTL-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 5.0V, 70ns, de auto-refresh
5375KM416C256DRAM dinamic CMOS 256K x 16Bit cu modul Pagină rapidă
5376KM416C256DJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5V
5377KM416C256DJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5V
5378KM416C256DJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5V
5379KM416C256DLJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5V, capacitatea de auto-refresh
5380KM416C256DLJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5V, capacitatea de auto-refresh
5381KM416C256DLJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5V, capacitatea de auto-refresh
5382KM416C256DLT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5V, capacitatea de auto-refresh
5383KM416C256DLT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5V, capacitatea de auto-refresh
5384KM416C256DLT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5V, capacitatea de auto-refresh
5385KM416C256DT-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 50ns, 5V
5386KM416C256DT-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 60ns, 5V
5387KM416C256DT-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 70ns, 5V
5388KM416C4000BRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
5389KM416C4000BS-454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 45ns
5390KM416C4000BS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 50ns
5391KM416C4000BS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 60ns
5392KM416C4000CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
5393KM416C4000CS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 50ns
5394KM416C4000CS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 8K reîmprospătare, 60ns
5395KM416C4004CRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date
5396KM416C4004CS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 5V, 8K de reîmprospătare, 50ns
5397KM416C4004CS-64M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 5V, 8K de reîmprospătare, 60ns
5398KM416C4100BRAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă
5399KM416C4100BS-454M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 4K de reîmprospătare, 45ns
5400KM416C4100BS-54M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 4K de reîmprospătare, 50ns
Pagina: | 1 | 10 | 20 | 30 | 40 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 70 | 80 | 90 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/samsungelectronic/1/