|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Mitsubishi Electric Corporation

Datasheet Catalog - Pagina 2

Datasheet-uri găsite :: 36636Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
Nr.NumeDescriere
101BA01202IC GaAs HBT HYBRID
102BA01203IC GaAs HBT HYBRID
103BA01207IC GaAs HBT HYBRID
104BCR08AM-14Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
105BCR08AM-14SEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP DE PASIVARE PLANARĂ
106BCR08AS-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
107BCR08AS-8SEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP NEIZOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
108BCR10CMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
109BCR10CM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
110BCR10CM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
111BCR10CSSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
112BCR10CSModule cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
113BCR10PMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP ISOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
114BCR10PMModule cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
115BCR10UMMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP IZOLAT, TIP PASSIVARE STICLĂ
116BCR12UTILIZARE PUTERE MEDIE TIP NEIZOLAT / TIP DE PASIVARE PLANARĂ
117BCR12CMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
118BCR12CM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
119BCR12CM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
120BCR12CSSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
121BCR12CS-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
122BCR12CS-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
123BCR12KM-14SEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP ISOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
124BCR12PMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP ISOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
125BCR12PM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
126BCR12PM-14SEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP ISOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
127BCR12PM-14Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
128BCR12PM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
129BCR12UMMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP IZOLAT, TIP PASSIVARE STICLĂ
130BCR16AMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE A, B, C: TIP NEIZOLAT E: TIP IZOLAT
131BCR16BMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE A, B, C: TIP NEIZOLAT E: TIP IZOLAT
132BCR16CMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE A, B, C: TIP NEIZOLAT E: TIP IZOLAT
133BCR16CMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
134BCR16CMModule cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
135BCR16CSSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
136BCR16CSModule cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
137BCR16EMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE A, B, C: TIP NEIZOLAT E: TIP IZOLAT
138BCR16HMMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP IZOLAT, TIP PASSIVARE STICLĂ
139BCR16PMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP ISOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
140BCR16PM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
141BCR16PM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
142BCR16UMMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP IZOLAT, TIP PASSIVARE STICLĂ
143BCR1AM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
144BCR1AM-12SEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP DE PASIVARE A STICLII
145BCR1AM-8SEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP DE PASIVARE PLANARĂ
146BCR20ASEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE MEDIANĂ A PUTERII
147BCR20AMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
148BCR20AM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
149BCR20AM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
150BCR20BSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE MEDIANĂ A PUTERII
151BCR20B-10Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
152BCR20B-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
153BCR20CSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE MEDIANĂ A PUTERII
154BCR20C-10Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
155BCR20C-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
156BCR20ESEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE MEDIANĂ A PUTERII
157BCR20KMModule cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
158BCR25ASEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE STICLĂ
159BCR25BSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE STICLĂ
160BCR2PMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP ISOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
161BCR2PM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
162BCR2PM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
163BCR3UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP ISOLAT / TIP DE PASIVARE PLANARĂ
164BCR30UTILIZARE PUTERE MEDIE TIP ISOLAT / TIP DE PASIVARE A STICLII
165BCR30AMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
166BCR30AM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
167BCR30AM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
168BCR30GMMITSUBISHI SEMICONDUCTOR (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP IZOLAT, TIP PASSIVARE STICLĂ
169BCR3AMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP NEIZOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
170BCR3ASSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP NEIZOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
171BCR3AS-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
172BCR3AS-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
173BCR3KMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP ISOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
174BCR3KM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
175BCR3KM-14SEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP ISOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
176BCR3KM-14Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
177BCR3KM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
178BCR3PMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP ISOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
179BCR3PM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
180BCR3PM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
181BCR5UTILIZARE PUTERE MEDIE TIP ISOLAT / TIP DE PASIVARE PLANARĂ
182BCR5AMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
183BCR5AM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
184BCR5AM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
185BCR5ASSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
186BCR5AS-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
187BCR5AS-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
188BCR5KMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP ISOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
189BCR5KMModule cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
190BCR5PMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) UTILIZARE DE PUTERE SCĂZUTĂ TIP ISOLAT, TIP DE PASIVARE PLANARĂ
191BCR5PM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
192BCR5PM-14Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
193BCR5PM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
194BCR6UTILIZARE PUTERE MEDIE TIP NEIZOLAT / TIP DE PASIVARE PLANARĂ
195BCR6AMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
196BCR6AM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
197BCR6AM-8Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
198BCR8UTILIZARE PUTERE MEDIE TIP NEIZOLAT / TIP DE PASIVARE PLANARĂ
199BCR8CMSEMICONDUCTOR MITSUBISHI (TRIAC) PUTERE MEDIE UTILIZARE TIP NEIZOLAT, TIP PASSIVARE PLANARĂ
200BCR8CM-12Module cu tranzistor bipolar de poartă integrat (IGBT): 250V
Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | 290 | 300 | 310 | 320 | 330 | 340 | 350 | 360 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/mitsubishielectriccorporation/1/