| Nr. | Nume | Descriere |
|---|
| 101 | 2SC5938B | PENTRU APLICAȚIE DE AMPLIFICARE A FRECVENȚEI SCĂZUTE SILICON NPN TIP EPITAXIAL |
| 102 | 2SC6046 | 200mW SMD tranzistor NPN, viteză maximă: 40V Vceo, 600mA Ic, 100 până la 300 hFE. |
| 103 | 2SD1447 | 900MW Plumb tranzistor NPN cadru, viteză maximă: 25V Vceo, 1A Ic, 55-300 hFE. 2SB1035 complementare |
| 104 | 2SD1972 | 2W cadru de plumb NPN tranzistor, o viteză maximă: 60V Vceo, 3A Ic, 250-800 hFE. |
| 105 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (Tranzistor cu efect de câmp), viteză maximă: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1--12 mA IDS. |
| 106 | 2SJ145 | PENTRU APLICAȚIE DE AMPLIFICARE A FRECVENȚEI SCĂZUTE P TIP JUNȚIUNE CANAL |
| 107 | 2SJ498 | 450mW plumb cadru J-FET (cu efect de câmp tranzistor), viteză maximă: 50V Vgdo, -10mA Ig, -0.6--12 mA IDS. |
| 108 | 2SK2880 | 450mW plumb cadru J-FET (cu efect de câmp tranzistor), viteză maximă: -50V Vgdo, 10mA Ig, 0.3 - 12 mA IDS. |
| 109 | 2SK2881 | Pentru aplicația de amplificare cu frecvență redusă Canal N Tip de joncțiune Micro (tip cadru) |
| 110 | 2SK433 | 150mW SMD J-FET (Tranzistor cu efect de câmp), viteză maximă: -50V Vgdo, 10mA Ig, 0.6to 12 mA IDS. |
| 111 | 2SK492 | 150mW SMD J-FET (Tranzistor cu efect de câmp), viteză maximă: -50V Vgdo, 10mA Ig, 1 la 12 mA IDS. |
| 112 | 2SK930 | PENTRU AMPLIFICAREA APLICAȚIEI DE FRECVENȚĂ SCĂZUTĂ N TIP DE JUNȚIUNE DE CANAL |
| 113 | M57140-01 | IPM de alimentare hibrid IC. Izolate DC-to-DC. |
| 114 | M57147AU-01 | IPM de alimentare hibrid IC. Izolate DC-DC. |
| 115 | M57159L-01 | MODULUL IGBT |
| 116 | M57160AL | IC HIBRID MODULUL IGBT |
| 117 | M57182N-315 | CONVERTITOR DC-DC NEIZOLAT |
| 118 | M57182N-416 | Hybrid IC. Papuci DC-DC. Intrare gama de tensiune DC 180V-450V. Caietul de sarcini de ieșire 16V, 300mA. |
| 119 | M57183N-316 | Hybrid IC. Papuci DC-DC. Intrare gama de tensiune DC 110V-180V. Caietul de sarcini de ieșire 15V, 100mA; 5V, 350mA. |
| 120 | M57184N-715A | Hybrid IC. Papuci DC-DC. Intrare gama de tensiune DC 220V-360V. Caietul de sarcini de ieșire 15V, 350mA; 5V, 200mA. |
| 121 | M57959AL-01 | IC MODUL IGBT HATE HIBRID |
| 122 | M57962AL | IC LGBT |
| 123 | M57962AL-01 | IC LGBT |
| 124 | MC2831 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 125 | MC2832 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 126 | MC2833 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 127 | MC2834 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 128 | MC2835 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea generală de comutare. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 35 V. |
| 129 | MC2836 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea generală de comutare. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 130 | MC2837 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă 85 V. |
| 131 | MC2838 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 132 | MC2839 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă 85 V. |
| 133 | MC2840 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea generală de comutare. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 35 V. |
| 134 | MC2841 | PENTRU APLICAȚII DE COMUTARE DE VITEZĂ ÎNALTĂ SILICIU TIP EPITAXIAL |
| 135 | MC2842 | MC2842 |
| 136 | MC2843 | MC2843 |
| 137 | MC2844 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 138 | MC2845 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 35 V. |
| 139 | MC2846 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 140 | MC2848 | PENTRU APLICAȚII DE COMUTARE DE VITEZĂ ÎNALTĂ SILICIU TIP EPITAXIAL |
| 141 | MC2850 | Diode de semnal mic. Pentru aplicarea generală de comutare. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 35 V. |
| 142 | MC2852 | Diode. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 143 | MC2854 | Diode. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 144 | MC961 | Diode. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 145 | MC971 | Pentru aplicații de comutare de mare viteză Tip siliciu epitaxial (catod comun) |
| 146 | MC981 | Diode. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 75 V. |
| 147 | MC982 | Diode. Pentru aplicarea de comutare de mare viteză. Siliciu epitaxial de tip. Tensiune de vârf inversă de 35 V. |
| 148 | RT1N137L | Tranzistor cu rezistență pentru comutarea aplicare. Silicon NPN tip epitaxial. |
| 149 | RT1N137P | Tranzistor cu rezistență pentru comutarea aplicare. Silicon NPN tip epitaxial. |
| 150 | RT1N141C | Tranzistor cu rezistență pentru comutarea aplicare. Silicon NPN tip epitaxial. |
| | |
