|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


International Rectifier

Datasheet Catalog - Pagina 80

Datasheet-uri găsite :: 22154Pagina: | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 |
Nr.NumeDescriere
7901IRF6714MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 29 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7902IRF6715MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 34 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7903IRF6715MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 34 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7904IRF6715MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 34 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7905IRF6716MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 39 amperi optimizat cu rezistență redusă
7906IRF6716MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 39 amperi optimizat cu rezistență redusă
7907IRF6717MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 38 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7908IRF6717MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 38 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7909IRF6717MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 38 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7910IRF6718L2Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET L6 de 61 amperi optimizat cu rezistență redusă
7911IRF6718L2TR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET L6 de 61 amperi optimizat cu rezistență redusă
7912IRF6720S2Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 11 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7913IRF6720S2TR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 11 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7914IRF6721SUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7915IRF6721STR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7916IRF6721STRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7917IRF6722MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7918IRF6722MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7919IRF6722MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7920IRF6722SUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET ST de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7921IRF6722STR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET ST de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7922IRF6723M2DUn MOSFET HEXFET cu putere N-Channel dual 30V într-un pachet DirectFET MP de 15 amperi optimizat cu rezistență redusă
7923IRF6723M2DTR1PUn MOSFET HEXFET cu putere N-Channel dual 30V într-un pachet DirectFET MP de 15 amperi optimizat cu rezistență redusă
7924IRF6724MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 27 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7925IRF6724MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 27 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7926IRF6725MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7927IRF6725MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7928IRF6725MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7929IRF6726MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7930IRF6726MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7931IRF6726MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7932IRF6727MMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MT evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7933IRF6727MTR1PBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MT evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7934IRF6727MTRPBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MT evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7935IRF6728MMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 23 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7936IRF6728MTR1PBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 23 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7937IRF6728MTRPBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 23 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7938IRF6729MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 31 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7939IRF6729MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 31 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7940IRF6775MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 150 V într-un pachet DirectFET MZ de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7941IRF6775MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 150 V într-un pachet DirectFET MZ de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7942IRF6785Un MOSFET HEXFET de putere de 200 V cu un singur canal N într-un pachet DirectFET MZ de 19 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7943IRF6785MTRPBFUn MOSFET HEXFET de putere de 200 V cu un singur canal N într-un pachet DirectFET MZ de 19 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7944IRF6794MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7945IRF6794MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7946IRF6794MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7947IRF6795MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7948IRF6795MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7949IRF6797MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 36 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7950IRF6797MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 36 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7951IRF6798MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 37 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7952IRF6798MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 37 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7953IRF6802SDUn MOSFET de putere HEXFET dual cu canal N de 25V într-un pachet DirectFET SA cu o capacitate de 16 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7954IRF6802SDTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET dual cu canal N de 25V într-un pachet DirectFET SA cu o capacitate de 16 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7955IRF6810SUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 cu 16 amperi optimizat cu rezistență redusă
7956IRF6810STR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 cu 16 amperi optimizat cu rezistență redusă
7957IRF6810STRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 cu 16 amperi optimizat cu rezistență redusă
7958IRF6811SUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 19 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7959IRF6811STR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 19 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7960IRF6811STRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 19 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7961IRF6892SMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ cu 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7962IRF6892STRPBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ cu 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7963IRF6893MMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V plus diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 29 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7964IRF6893MTR1PBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V plus diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 29 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7965IRF6893MTRPBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V plus diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 29 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7966IRF6894MMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 33 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7967IRF6894MTR1PBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 33 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7968IRF6894MTRPBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 33 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7969IRF6898MMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25 V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 35 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7970IRF6898MTR1PBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25 V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 35 amperi optimizat cu rezistență redusă.
7971IRF710MOSFET de alimentare HEXFET cu un singur canal N 400V într-un pachet TO-220AB
7972IRF7101MOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 20V într-un pachet SO-8
7973IRF7101TRMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 20V într-un pachet SO-8
7974IRF7101TRPBFMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 20V într-un pachet SO-8
7975IRF7103MOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8
7976IRF7103(N)50V MOSFET HEXFET de putere cu un singur canal DUAL într-un pachet SO-8
7977IRF7103IMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8
7978IRF7103IPBFMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8
7979IRF7103PBFMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8
7980IRF7103PBF-1MOSFET de alimentare HEXFET de 50V Dual N Channel într-un pachet SO-8
7981IRF7103QMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8
7982IRF7103Q(N)50V MOSFET HEXFET de putere cu un singur canal DUAL într-un pachet SO-8
7983IRF7103QPBFMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8 - calificat Q101
7984IRF7103QTRMOSFET de putere N-canal pentru anti-blocare aplicații de sisteme de frânare, 50V, 3A
7985IRF7103QTRPBFMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8 - calificat Q101
7986IRF7103TRMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8
7987IRF7103TRPBF-1MOSFET de alimentare HEXFET de 50V Dual N Channel într-un pachet SO-8
7988IRF7103UMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8 fără plumb proiectat și calificat pentru piața de consum
7989IRF7103UPBFMOSFET de alimentare HEXFET dual N-Channel 50V într-un pachet SO-8 fără plumb proiectat și calificat pentru piața de consum
7990IRF7104-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET într-un pachet SO-8
7991IRF7104TR-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET într-un pachet SO-8
7992IRF7104TRPBF-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET într-un pachet SO-8
7993IRF7105MOSFET de alimentare HEXFET dublu canal N- și P- 25V într-un pachet SO-8
7994IRF7105PBF-1MOSFET de alimentare HEXFET dublu canal N- și P- 25V într-un pachet SO-8
7995IRF7105Q25V MOSFET HEXFET dual cu canal N și P- Channel într-un pachet SO-8 fără plumb
7996IRF7105QPBF25V MOSFET HEXFET dual cu canal N și P- Channel într-un pachet SO-8 fără plumb
7997IRF7105TRMOSFET de alimentare HEXFET dublu canal N- și P- 25V într-un pachet SO-8
7998IRF7105TRPBFMOSFET de alimentare HEXFET dublu canal N- și P- 25V într-un pachet SO-8
7999IRF7106MOSFET de alimentare HEXFET cu canal dual N- și P- 20V într-un pachet SO-8
8000IRF7106TRMOSFET de alimentare HEXFET cu canal dual N- și P- 20V într-un pachet SO-8
Pagina: | 1 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/internationalrectifier/1/