Nr. | Nume | Descriere |
1 | GLT40516-10E | 32K x 16 încorporat DRAM EDO |
2 | GLT41016-10E | 64K x 16 încorporat DRAM EDO |
3 | GLT41016-30J4 | 30ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
4 | GLT41016-30TC | 30ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
5 | GLT41016-35J4 | 35ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
6 | GLT41016-40J4 | 40ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
7 | GLT41016-45J4 | 45ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
8 | GLT41116-30J4 | 30ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
9 | GLT41116-30TC | 30ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
10 | GLT41116-35J4 | 35ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
11 | GLT41116-35TC | 35ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
12 | GLT41116-40J4 | 40ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
13 | GLT41116-40TC | 40ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
14 | GLT41116-45J4 | 45ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
15 | GLT41116-45TC | 45ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
16 | GLT41216-30J4 | 30ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
17 | GLT41216-30TC | 30ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
18 | GLT41216-35J4 | 35ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
19 | GLT41216-35TC | 35ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
20 | GLT41216-40J4 | 40ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
21 | GLT41216-40TC | 40ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
22 | GLT41216-45J4 | 45ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
23 | GLT41216-45TC | 45ns; 64K x 16 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
24 | GLT41316-30J4 | 30ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
25 | GLT41316-30TC | 30ns; RAM 64K x 16 CMOS dinamic cu modul de pagina postul |
26 | GLT41316-35J4 | 35ns; 64M x 16 CMOS RAM dinamic cu modul de pagina postul |
27 | GLT41316-35TC | 35ns; 64M x 16 CMOS RAM dinamic cu modul de pagina postul |
28 | GLT41316-40J4 | 40ns; 64M x 16 CMOS RAM dinamic cu modul de pagina postul |
29 | GLT41316-40TC | 40ns; 64M x 16 CMOS RAM dinamic cu modul de pagina postul |
30 | GLT41316-45J4 | 45ns; 64M x 16 CMOS RAM dinamic cu modul de pagina postul |
31 | GLT41316-45TC | 45ns; 64M x 16 CMOS RAM dinamic cu modul de pagina postul |
32 | GLT4160L04-40J3 | 40ns; RAM 4K x 4 CMOS dinamic cu ieșire extinsă de date |
33 | GLT4160L04-40TC | 40ns; RAM 4K x 4 CMOS dinamic cu ieșire extinsă de date |
34 | GLT4160L04-50J3 | 50ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
35 | GLT4160L04-60J3 | 60ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
36 | GLT4160L04E-40J3 | 40ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
37 | GLT4160L04E-40TC | 40ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
38 | GLT4160L04E-50J3 | 50ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
39 | GLT4160L04E-50TC | 50ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
40 | GLT4160L04E-60J3 | 60ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
41 | GLT4160L04E-60TC | 60ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
42 | GLT4160L04E-70J3 | 70ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
43 | GLT4160L04E-70TC | 70ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
44 | GLT4160L04S-40J3 | 40ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
45 | GLT4160L04S-40TC | 40ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
46 | GLT4160L04S-50J3 | 50ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
47 | GLT4160L04S-50TC | 50ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
48 | GLT4160L04S-60J3 | 60ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
49 | GLT4160L04S-60TC | 60ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
50 | GLT4160L04S-70J3 | 70ns; 4M x 4 CMOS RAM dinamic cu ieșire extinsă de date |
| | |