|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Freescale (Motorola)

Datasheet Catalog - Pagina 26
Datasheet-uri găsite :: 1375Pagina: | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Nr.NumeDescriere
1251MRF373ALSR1470–860 MHz, 75 W, 32 V MOSFET lateral cu bandă largă N-Channel în bandă largă
1252MRF374AMOSFET 470–860 MHz, 130 W, 32 V lateral N-Channel în bandă largă RF MOSFET
1253MRF377470–860 MHz, 240 W, 32 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1254MRF377HR3MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1255MRF377HR5MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1256MRF5P21180R62170 MHz, 38 W AVG., 2 x W – CDMA, 28 V Lateral N-Channel MOSFET de alimentare RF
1257MRF5P21240R62170 MHz, 52 W mediu, 2 x W – CDMA, 28 V MOSFET de putere RF cu canal N lateral
1258MRF5S19090LR31990 MHz, 18 W medie, 2 x N – CDMA, 28 V MOSFET de putere RF cu canal N lateral
1259MRF5S19090LSR31990 MHz, 18 W medie, 2 x N – CDMA, 28 V MOSFET de putere RF cu canal N lateral
1260MRF5S19100HR31990 MHz, 22 W medie, 28 V, 2 x N-CDMA MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1261MRF5S19100HSR31990 MHz, 22 W medie, 28 V, 2 x N-CDMA MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1262MRF5S19100LR31990 MHz, 22 W medie, 2 x N – CDMA, 28 V MOSFET de putere RF cu canal N lateral
1263MRF5S19100LSR31990 MHz, 22 W medie, 2 x N – CDMA, 28 V MOSFET de putere RF cu canal N lateral
1264MRF5S19130HR3Potrivit pentru aplicații de amplificare TDMA, CDMA și multicarrier.
1265MRF5S19130HSR3Potrivit pentru aplicații de amplificare TDMA, CDMA și multicarrier.
1266MRF5S19130R31990 MHz, 26 W AVG., 2 x N-CDMA, 28 V MOSFET de putere RF cu canal N lateral
1267MRF5S19130SR31990 MHz, 26 W AVG., 2 x N-CDMA, 28 V MOSFET de putere RF cu canal N lateral
1268MRF5S19150R31990 MHz, 32 W, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET
1269MRF5S19150SR31990 MHz, 32 W, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET
1270MRF5S21090HR3Se utilizează în clasa AB pentru aplicații PCN-PCS / cellularradio și WLL.
1271MRF5S21090HSR3Se utilizează în clasa AB pentru aplicații PCN-PCS / cellularradio și WLL.
1272MRF5S21090LR32170 MHz, 19 W AVG., 2 x W – CDMA, MOSFET de putere RF cu canal N lateral 28 V
1273MRF5S21090LSR32170 MHz, 19 W AVG., 2 x W – CDMA, MOSFET de putere RF cu canal N lateral 28 V
1274MRF5S21100HR32170 MHz, 23 W medie, 2 x W – CDMA, 28 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1275MRF5S21100HSR32170 MHz, 23 W medie, 2 x W – CDMA, 28 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1276MRF5S21100LR32170 MHz, 23 W medie, 2 x W – CDMA, 28 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1277MRF5S21100LSR32170 MHz, 23 W medie, 2 x W – CDMA, 28 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1278MRF5S21130HR32170 MHz, 28 W AVG., 28 V, 2 x W – CDMA, MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1279MRF5S21130HSR32170 MHz, 28 W AVG., 28 V, 2 x W – CDMA, MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1280MRF5S21130R32170 MHz, 28 W AVG., 2 x W – CDMA, 28 V Lateral N-Channel MOSFET de alimentare RF
1281MRF5S21130SR32170 MHz, 28 W AVG., 2 x W – CDMA, 28 V Lateral N-Channel MOSFET de alimentare RF
1282MRF5S21150R32170 MHz, 33 W AVG., 2 x W – CDMA, 28 V Lateral N-Channel MOSFET de alimentare RF
1283MRF5S21150SR32170 MHz, 33 W AVG., 2 x W – CDMA, 28 V Lateral N-Channel MOSFET de alimentare RF
1284MRF5S9070NR1MOSFET de 880 MHz, 70 W, 26 V lateral N-Channel în bandă largă RF
1285MRF5S9100MBR1MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1286MRF5S9100MR1MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1287MRF5S9100NBR1MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1288MRF5S9100NR1MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1289MRF5S9101MBR1Tranzistoare cu efect de câmp de putere RF
1290MRF5S9101MR1Tranzistoare cu efect de câmp de putere RF
1291MRF5S9101NBR1Tranzistoare cu efect de câmp de putere RF
1292MRF5S9101NR1Tranzistoare cu efect de câmp de putere RF
1293MRF6P21190HR6Tranzistor cu efect de câmp de putere RF, MOSFET lateral în modul de îmbunătățire a canalului N
1294MRF6P27160HR6Tranzistor cu efect de câmp de putere RF MOSFET lateral în modul de îmbunătățire a canalului N
1295MRF6P3300HR3Tranzistor cu efect de câmp de putere RF (MOSFET lateral în modul de îmbunătățire a canalului N)
1296MRF6P3300HR5Tranzistor cu efect de câmp de putere RF (MOSFET lateral în modul de îmbunătățire a canalului N)
1297MRF6S19140HR3MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1298MRF6S19140HSR3MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului N
1299MRF6S21050LR3Tranzistoare cu efect de câmp de putere RF
1300MRF6S21050LSR3Tranzistoare cu efect de câmp de putere RF
Pagina: | 1 | 10 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/freescale(motorola)/1/