|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Freescale (Motorola)

Datasheet Catalog - Pagina 24

Datasheet-uri găsite :: 1375Pagina: | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
Nr.NumeDescriere
1151MPXH6300ASenzor de presiune
1152MPXH6400ASenzor de presiune integrat
1153MPXH6400A6T1Senzor de presiune din siliciu integrat cu precizie de temperatură ridicată
1154MPXH6400A6USenzor de presiune din siliciu integrat cu precizie de temperatură ridicată
1155MPXH6400AC6T1Senzor de presiune din siliciu integrat cu precizie de temperatură ridicată
1156MPXH6400AC6USenzor de presiune din siliciu integrat cu precizie de temperatură ridicată
1157MPXHZ6115ASenzor de presiune integrat rezistent la medii și precizie la temperatură ridicată
1158MPXHZ6400ASenzor de presiune integrat din siliciu, rezistent la medii și cu precizie la temperatură ridicată
1159MPXHZ6400AC6T1Senzor de presiune integrat din siliciu, rezistent la medii și cu precizie la temperatură ridicată
1160MPXM2010Senzor de presiune compensat
1161MPXM2053Senzor de presiune compensat
1162MPXM2102DSenzor de presiune compensat
1163MPXM2202ASenzor de presiune compensat
1164MPXM2202DSenzor de presiune
1165MPXV4006Senzor de presiune integrat
1166MPXV4115VSenzor de presiune integrat - Pachet mic
1167MPXV5004Senzor de presiune integrat
1168MPXV5050VSenzor de presiune
1169MPXV5100Senzor de presiune integrat
1170MPXV6115VSenzor de presiune integrat din siliciu cu precizie la temperatură ridicată - Pachet mic
1171MPXY8020ASenzor de monitorizare a presiunii în anvelope
1172MPXY8020ASenzor de monitorizare a presiunii în anvelope
1173MPXY8040ASenzor de monitorizare a presiunii în anvelope
1174MR2A16AMemorie de acces aleatoriu magnestorezitivă (MRAM)
1175MRF1511T1175 MHz, 8 W, 7,5 V MOSFET de putere RF cu bandă largă N-Channel laterală
1176MRF1513T1520 MHz, 3 W, 12,5 V lateral N-Channel MOSFET de putere în bandă largă RF
1177MRF1517T1520 MHz, 8 W, 7,5 V lateral N-Channel MOSFET de bandă largă de putere RF
1178MRF1518T1MOSFET 520 MHz, 8 W, 12,5 V lateral N-Channel în bandă largă RF MOSFET
1179MRF1535FT1520 MHz, 35 W, 12,5 V MOSFET DE PUTERE RF LATERAL N – CANAL
1180MRF1535T1520 MHz, 35 W, 12,5 V MOSFET DE PUTERE RF LATERAL N – CANAL
1181MRF1550FT1175 MHz, 50 W, 12,5 V MOSFET LATERAL N – CHANNEL LARGE BANDĂ RF
1182MRF1550T1175 MHz, 50 W, 12,5 V MOSFET LATERAL N – CHANNEL LARGE BANDĂ RF
1183MRF1570FT1470 MHz, 70 W, 12,5 V MOSFET DE PUTERE RF LATERAL N – CANAL
1184MRF1570T1470 MHz, 70 W, 12,5 V MOSFET DE PUTERE RF LATERAL N – CANAL
1185MRF18030ALR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,80-1,88 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1186MRF18030ALSR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,80-1,88 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1187MRF18030AR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,80-1,88 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1188MRF18030ASR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,80-1,88 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1189MRF18030BLR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,93-1,99 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1190MRF18030BLSR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,93-1,99 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1191MRF18030BR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,93-1,99 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1192MRF18030BSR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,93-1,99 GHz, 30 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1193MRF18060ALSR31,80-1,88 GHz, 60 W, MOSFET-uri de putere RF cu canal N lateral 26 V
1194MRF18060AR31,80-1,88 GHz, 60 W, 26 V MOSFET lateral de putere N-Channel RF
1195MRF18060ASR31,80-1,88 GHz, 60 W, MOSFET-uri de putere RF cu canal N lateral 26 V
1196MRF18060BLSR31,90-1,99 GHz, 60 W, 26 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1197MRF18060BR31,90-1,99 GHz, 60 W, 26 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1198MRF18060BSR31,90-1,99 GHz, 60 W, 26 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateral
1199MRF18085ALSR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,80-1,88 GHz, 85 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
1200MRF18085AR3MOSFET GSM / GSM EDGE 1,80-1,88 GHz, 85 W, 26 V lateral N-Channel RF Power MOSFET
Pagina: | 1 | 10 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/freescale(motorola)/1/