90041 | 30KTT40 | Condensatori de înaltă tensiune pentru sarcini grele | Vishay |
90042 | 30KTT66 | Condensatori de înaltă tensiune pentru sarcini grele | Vishay |
90043 | 30KW102 | 102.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90044 | 30KW102A | 102.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90045 | 30KW108 | 108.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90046 | 30KW108A | 108.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90047 | 30KW120 | 120.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90048 | 30KW120A | 120.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90049 | 30KW132 | 132.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90050 | 30KW132A | 132.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90051 | 30KW144 | 144.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90052 | 30KW144A | 144.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90053 | 30KW156 | 156.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90054 | 30KW156A | 156.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90055 | 30KW168 | 168.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90056 | 30KW168A | 168.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90057 | 30KW180 | 180.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90058 | 30KW180A | 180.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90059 | 30KW198 | 198.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90060 | 30KW198A | 198.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90061 | 30KW216 | 216.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90062 | 30KW216A | 216.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90063 | 30KW240 | 240.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90064 | 30KW240A | 240.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90065 | 30KW258 | 258.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90066 | 30KW258A | 258.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90067 | 30KW270 | 270.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90068 | 30KW270A | 270.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90069 | 30KW288 | 288.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90070 | 30KW288A | 288.00V; 5mA; putere a impulsului 15000W vârf; sticlă pasivizat joncțiune tranzitorie supresoare de tensiune. Pentru aplicații bipolare | MDE Semiconductor |
90071 | 30L30CT | 30V 30A Schottky Common Cathode Diode într-un pachet TO-220AB | International Rectifier |
90072 | 30L30CT-1 | 30V 30A Schottky Common Cathode Diode într-un pachet TO-262 | International Rectifier |
90073 | 30L30CTC | SCHOTTKY RECTIFIER | International Rectifier |
90074 | 30L30CTS | 30V 30A Schottky Common Cathode Diode într-un pachet D2-Pak | International Rectifier |
90075 | 30L30CTSTRL | 30V 30A Schottky Common Cathode Diode într-un pachet D2-Pak | International Rectifier |
90076 | 30L30CTSTRR | 30V 30A Schottky Common Cathode Diode într-un pachet D2-Pak | International Rectifier |
90077 | 30L6P45 | TIP DIFUS DE SILICON MODULUL RECTIFICATORULUI (APLICAȚII DE POD PENTRU TREI FASE) | TOSHIBA |
90078 | 30LJQ045 | 30V 45A Hi-Rel Schottky Disc Diode într-un pachet SMD-0.5 | International Rectifier |
90079 | 30LJQ045SCS | 30A 45V Hi-Rel Schottky Diode Discrete într-un pachet SMD-0.5 | International Rectifier |
90080 | 30LJQ100 | 30V 100A Hi-Rel Schottky Disc Diode într-un pachet SMD-0.5 | International Rectifier |