|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 16345 | 16346 | 16347 | 16348 | 16349 | 16350 | 16351 | 16352 | 16353 | 16354 | 16355 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
653961HSH1500CIEOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653962HSH1500KSLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653963HSH1500PIEOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653964HSH1500PILOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653965HSH2000NIEOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653966HSH2001CIEOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653967HSH2001NIELOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653968HSH2001NIEOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653969HSH2002NIEOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653970HSH2011NIEOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653971HSH2501NIL0Lămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653972HSH2501NILOLampă pentru fotolitografie. Putere 2500 W, 109 amperi de curent (DC), tensiune 23 V (DC). Temperatura (la baza) 220degC (max).PerkinElmer Optoelectronics
653973HSH2510NIL0Lămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653974HSH2510NILOLampă pentru fotolitografie. Putere 2500 W, 109 amperi de curent (DC), tensiune 23 V (DC). Temperatura (la baza) 220degC (max).PerkinElmer Optoelectronics
653975HSH3500PILOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653976HSH3501PILOLămpi pentru fotolitografiePerkinElmer Optoelectronics
653977HSI2CMODTrusa de evaluare pentru HS IMAXIM - Dallas Semiconductor
653978HSK1118Tipul de siliciu N canale MOSHi-Sincerity Microelectronics
653979HSK120Small Signal DiodeHitachi Semiconductor
653980HSK120Diode> ComutareRenesas
653981HSK122Small Signal DiodeHitachi Semiconductor
653982HSK122Diode> ComutareRenesas
653983HSK2474IMOSFET-uri cu canal NHi-Sincerity Microelectronics
653984HSK2474JMOSFET-uri cu canal NHi-Sincerity Microelectronics
653985HSK83Small Signal DiodeHitachi Semiconductor
653986HSK83Diode> ComutareRenesas
653987HSL226Diode> ComutareRenesas
653988HSL278Diode> ComutareRenesas
653989HSM101SPECIFICAȚII TEHNICE ALE RECTIFICATORULUI DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂDC Components
653990HSM101RECTIFICATOR DE SILICIU DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂ PASSIVAT DE SUPRAFEȚĂ (GAMA DE TENSIUNE 50 până la 600 volți CURENT 1.0 Ampere)Rectron Semiconductor
653991HSM102SPECIFICAȚII TEHNICE ALE RECTIFICATORULUI DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂDC Components
653992HSM102RECTIFICATOR DE SILICIU DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂ PASSIVAT DE SUPRAFEȚĂ (GAMA DE TENSIUNE 50 până la 600 volți CURENT 1.0 Ampere)Rectron Semiconductor
653993HSM103SPECIFICAȚII TEHNICE ALE RECTIFICATORULUI DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂDC Components
653994HSM103RECTIFICATOR DE SILICIU DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂ PASSIVAT DE SUPRAFEȚĂ (GAMA DE TENSIUNE 50 până la 600 volți CURENT 1.0 Ampere)Rectron Semiconductor
653995HSM104SPECIFICAȚII TEHNICE ALE RECTIFICATORULUI DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂDC Components
653996HSM104RECTIFICATOR DE SILICIU DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂ PASSIVAT DE SUPRAFEȚĂ (GAMA DE TENSIUNE 50 până la 600 volți CURENT 1.0 Ampere)Rectron Semiconductor
653997HSM105SPECIFICAȚII TEHNICE ALE RECTIFICATORULUI DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂDC Components
653998HSM105RECTIFICATOR DE SILICIU DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂ PASSIVAT DE SUPRAFEȚĂ (GAMA DE TENSIUNE 50 până la 600 volți CURENT 1.0 Ampere)Rectron Semiconductor
653999HSM106SPECIFICAȚII TEHNICE ALE RECTIFICATORULUI DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂDC Components
654000HSM106RECTIFICATOR DE SILICIU DE EFICIENȚĂ ÎNALTĂ PASSIVAT DE SUPRAFEȚĂ (GAMA DE TENSIUNE 50 până la 600 volți CURENT 1.0 Ampere)Rectron Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 16345 | 16346 | 16347 | 16348 | 16349 | 16350 | 16351 | 16352 | 16353 | 16354 | 16355 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com