|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 7603 | 7604 | 7605 | 7606 | 7607 | 7608 | 7609 | 7610 | 7611 | 7612 | 7613 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
304281BU4066BCFV-E2IC-uri logice CMOS de înaltă tensiune ROHM
304282BU4069UBHex inverterROHM
304283BU4069UB/UBF/UBFVLSI logice standard> CMOS logic seria BU4000BROHM
304284BU4069UBFHex inverterROHM
304285BU4069UBF-E2IC-uri CMOS LOGIC de înaltă tensiune ROHM
304286BU4069UBFVHex inverterROHM
304287BU4069UBFV-E2IC-uri CMOS LOGIC de înaltă tensiune ROHM
304288BU406DNPN POWER TRANSISTORBoca Semiconductor Corporation
304289BU406DTranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
304290BU406DTRANSISTORE DE PUTERE (7A, 150-200V, 60W)MOSPEC Semiconductor
304291BU406DPachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220CSavantic
304292BU406DNPN, tranzistor de deflexie pe orizontală. Pentru orizontale etape de ieșire deviere de televiziune și de CRT. Vceo = 200Vdc, Vcbo = 400Vdc, Vcev = 400Vdc, Veb = 6VDC, Ic = 7Adc, PD = 60W.USHA India LTD
304293BU406DNPN TRANSISTOR DE SILICON EPITAXIAL (UTILIZARE DE COMUTARE DE TENSIUNE ÎNALTĂ ÎN ETAPA DE IEȘIRE DE DEFLECȚIE ORIZONTALĂ)Wing Shing Computer Components
304294BU406HNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
304295BU406H400 V, 7 A, NPN epitaxial siliciu tranzistorSamsung Electronic
304296BU406HNPN epitaxial tranzistor de siliciu. Comutare de tensiune înaltă pentru etapa de ieșire deformare orizontală. Tensiune 400V colector-bază. Colector-emițător de tensiune 200V. Tensiune emitor-bază 6V.Wing Shing Computer Components
304297BU406TUNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
304298BU407NPN POWER TRANSISTORBoca Semiconductor Corporation
304299BU407Tranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
304300BU40760.000W medie de putere NPN Transistor de plastic cu plumb. 150V Vceo, 7.000A Ic, hFE.Continental Device India Limited
304301BU407NPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
304302BU407TRANSISTORE DE PUTERE (7A, 150-200V, 60W)MOSPEC Semiconductor
304303BU407NPN power transistorMotorola
304304BU407Putere 7A 150V DEF NPNON Semiconductor
304305BU407NPN SILICON TRANSISTORS POWERPower Innovations
304306BU407NPN TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIALSamsung Electronic
304307BU407Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220CSavantic
304308BU407HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
304309BU407TRANSISTOR DE SILICON NPN CURENT ÎNALTST Microelectronics
304310BU407330 V, 7 A, 60 W, tranzistor de putere siliciu NPNTexas Instruments
304311BU407NPN, tranzistor de deflexie pe orizontală pentru orizontale etape de ieșire deviere de televiziune și SRT. Vceo = 150Vdc, Vcbo = 330Vdc, Vcev = 330Vdc, Veb = 6VDC, Ic = 7Adc, PD = 60W.USHA India LTD
304312BU407TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE SILICIU (DESCRIERE GENERALĂ)Wing Shing Computer Components
304313BU4070BQuad exclusiv poartă SAUROHM
304314BU4070B/BFLSI logice standard> CMOS logic seria BU4000BROHM
304315BU4070BFQuad exclusiv poartă SAUROHM
304316BU407DNPN POWER TRANSISTORBoca Semiconductor Corporation
304317BU407DTranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
304318BU407DTRANSISTORE DE PUTERE (7A, 150-200V, 60W)MOSPEC Semiconductor
304319BU407DPachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220CSavantic
304320BU407HNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 7603 | 7604 | 7605 | 7606 | 7607 | 7608 | 7609 | 7610 | 7611 | 7612 | 7613 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com