|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 7167 | 7168 | 7169 | 7170 | 7171 | 7172 | 7173 | 7174 | 7175 | 7176 | 7177 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
286841BF495C0.300W General Purpose NPN Transistor plastic cu plumb. 20V Vceo, 0.030A Ic, 65-135 hFEContinental Device India Limited
286842BF495D0.300W General Purpose NPN Transistor plastic cu plumb. 20V Vceo, 0.030A Ic, 35-76 hFEContinental Device India Limited
286843BF496Trans GP BJT PNP 350V 0,5A cu 3 pini TO-92 în vracNew Jersey Semiconductor
286844BF502NPN SILICON RF TRANSISTORSiemens
286845BF503NPN SILICON RF TRANSISTORSiemens
286846BF505NPN SILICON RF TRANSISTORSiemens
286847BF506PNP Silicon RF tranzistorInfineon
286848BF506Trans GP BJT NPN 35V 30ANew Jersey Semiconductor
286849BF506PNP Silicon RF Transistor (pentru mixer VHF și trepte de oscilator)Siemens
286850BF507NPN SILICON RF TRANSISTORSiemens
286851BF510FET siliciu N-canalNXP Semiconductors
286852BF510Tranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286853BF511FET siliciu N-canalNXP Semiconductors
286854BF511Tranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286855BF512FET siliciu N-canalNXP Semiconductors
286856BF512Tranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286857BF513FET siliciu N-canalNXP Semiconductors
286858BF513Tranzistoare cu efect de câmp de siliciu cu canal NPhilips
286859BF517RF-Bipolar - Pentru aplicații de amplificatoare și oscilatoare în tunere TVInfineon
286860BF517NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații de amplificatoare și oscilatoare în tunere TV)Siemens
286861BF519Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ciUltra CEMI
286862BF520Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ciUltra CEMI
286863BF521Tranzystor wielkiej częstotliwo¶ciUltra CEMI
286864BF543RF-MOSFET - VDS = 15V, gfs = 12mS, Gp = 22dB, F = 1dBInfineon
286865BF543Triod MOS FET Silicon N Channel (pentru trepte RF până la 300 MHz, de preferință în aplicații FM)Siemens
286866BF545AN-canal FETNXP Semiconductors
286867BF545ATranzistori cu efect de câmp de joncțiune cu siliciu cu canal NPhilips
286868BF545BN-canal FETNXP Semiconductors
286869BF545BTranzistori cu efect de câmp de joncțiune cu siliciu cu canal NPhilips
286870BF545CN-canal FETNXP Semiconductors
286871BF545CTranzistori cu efect de câmp de joncțiune cu siliciu cu canal NPhilips
286872BF547NPN 1 GHz bandă largă tranzistorPhilips
286873BF547WNPN 1 GHz bandă largă tranzistorPhilips
286874BF550Tranzistor PNP frecvență medieNexperia
286875BF550Tranzistor PNP frecvență medieNXP Semiconductors
286876BF550Tranzistor PNP frecvență mediePhilips
286877BF550PNP Silicon RF Transistor (Pentru trepte de amplificator de emițător obișnuit până la 300 MHz Pentru aplicații de mixer în radiouri AM / FM și tunere TV VHF)Siemens
286878BF554Surface Mount PlanarTransistors Si-epitaxialDiotec Elektronische
286879BF554NPN Silicon RF Transistor (Pentru aplicații generale RF cu semnal mic de până la 300 MHz în amplificatoare, mixere și circuite oscilatoare)Siemens
286880BF556AN-canal FETNXP Semiconductors
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 7167 | 7168 | 7169 | 7170 | 7171 | 7172 | 7173 | 7174 | 7175 | 7176 | 7177 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com