|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 6828 | 6829 | 6830 | 6831 | 6832 | 6833 | 6834 | 6835 | 6836 | 6837 | 6838 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
273281BC447BV (CEO): 80V; V (CBO): 80V; V (EBO): 5V; tensiune NPN tranzistor de siliciuMotorola
273282BC448PNP SILICON TRANSISTORE EPITAXIALE PLANAREContinental Device India Limited
273283BC448PNP SILICON TRANSISTORE EPITAXIALE PLANAREContinental Device India Limited
273284BC448APNP SILICON TRANSISTORE EPITAXIALE PLANAREContinental Device India Limited
273285BC448BPNP SILICON TRANSISTORE EPITAXIALE PLANAREContinental Device India Limited
273286BC448BTrans GP BJT PNP 100V 0.3A 3-pini TO-92 în vracNew Jersey Semiconductor
273287BC449V (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensiune NPN tranzistor de siliciuMotorola
273288BC449Tranzistori de înaltă tensiuneON Semiconductor
273289BC449AV (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensiune NPN tranzistor de siliciuMotorola
273290BC449ATranzistori de înaltă tensiuneON Semiconductor
273291BC449BV (CEO): 100V; V (CBO): 100V; V (EBO): 5V; tensiune NPN tranzistor de siliciuMotorola
273292BC4500.625W General Purpose PNP plastic cu plumb Transistor. 100V Vceo, 0.300A Ic, 50-220 hFEContinental Device India Limited
273293BC450PNP SILICON TRANSISTORMicro Electronics
273294BC450Tranzistoare de înaltă tensiuneMotorola
273295BC450A0.625W General Purpose PNP plastic cu plumb Transistor. 100V Vceo, 0.300A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
273296BC450ATranzistoare de înaltă tensiuneMotorola
273297BC450BPNP SILICON TRANSISTORE EPITAXIALE PLANAREContinental Device India Limited
273298BC460Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
273299BC46010.000W General Purpose PNP metal poate Transistor. 40V Vceo, A Ic, 40-250 hFE.Continental Device India Limited
273300BC460SILICON AF AMPLIFICATOARE ȘI COMUTATOARE DE MEDIE PUTEREMicro Electronics
273301BC461Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
273302BC46110.000W General Purpose PNP metal poate Transistor. 60V Vceo, A Ic, 40-250 hFE.Continental Device India Limited
273303BC461SILICON AF AMPLIFICATOARE ȘI COMUTATOARE DE MEDIE PUTEREMicro Electronics
273304BC477Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
273305BC477Scopul 1.200W General PNP metal poate tranzistor. 80V Vceo, 0.100A Ic, 30 hFE.Continental Device India Limited
273306BC477ft min 100 MHz hfe min 50 Transistor PNP polaritate actual Ic continuu maxim 0,15 A Tensiune Vcbo 90 V Tensiune Vceo 80 V curent Ic (hfe) 2 mA Putere Ptot 360 mWSGS Thomson Microelectronics
273307BC477Zgomot redus AMPLIFICATORI SCOP GENERAL AUDIOST Microelectronics
273308BC478Zgomot redus AMPLIFICATORI SCOP GENERAL AUDIOSGS Thomson Microelectronics
273309BC478Zgomot redus AMPLIFICATORI SCOP GENERAL AUDIOST Microelectronics
273310BC478BDispozitiv PNP bipolar într-un pachet metalic închis ermetic TO18.SemeLAB
273311BC479Zgomot redus AMPLIFICATORI SCOP GENERAL AUDIOSGS Thomson Microelectronics
273312BC479Zgomot redus AMPLIFICATORI SCOP GENERAL AUDIOST Microelectronics
273313BC485NPN SILICON TRANSISTORII EPITAXIALE PLANAREMicro Electronics
273314BC486PNP SILICON TRANSISTORE EPITAXIALE PLANAREMicro Electronics
273315BC487NPN SILICON TRANSISTORII EPITAXIALE PLANAREMicro Electronics
273316BC487Înalte Tranzistori curenteON Semiconductor
273317BC488PNP SILICON TRANSISTORE EPITAXIALE PLANAREMicro Electronics
273318BC488BÎnalte Tranzistori curenteON Semiconductor
273319BC489NPN SILICON TRANSISTORII EPITAXIALE PLANAREMicro Electronics
273320BC489Înalte Tranzistori curenteMotorola
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 6828 | 6829 | 6830 | 6831 | 6832 | 6833 | 6834 | 6835 | 6836 | 6837 | 6838 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com