|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 37274 | 37275 | 37276 | 37277 | 37278 | 37279 | 37280 | 37281 | 37282 | 37283 | 37284 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1491121T224162-25J256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 25nsTM Technology
1491122T224162-25S256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 25nsTM Technology
1491123T224162-28J256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 28nsTM Technology
1491124T224162-28S256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 28nsTM Technology
1491125T224162-35J256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 35nsTM Technology
1491126T224162-35S256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 35nsTM Technology
1491127T224162-45J256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 45nsTM Technology
1491128T224162-45S256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 45nsTM Technology
1491129T224162-50J256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 50nsTM Technology
1491130T224162-50S256K x 16 EDO Pagina manieră dramatică, 50nsTM Technology
1491131T224162B256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODETaiwan Memory Technology
1491132T224162B4,5 la 5.5V; 1.0W; 256K x 16 RAM dinamic: EDO Page modaTM Technology
1491133T224162B-22256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODETaiwan Memory Technology
1491134T224162B-25256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODETaiwan Memory Technology
1491135T224162B-28256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODETaiwan Memory Technology
1491136T224162B-35256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODETaiwan Memory Technology
1491137T224162B-45256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODETaiwan Memory Technology
1491138T224162B-50256K x 16 DYNAMIC RAM EDO PAGE MODETaiwan Memory Technology
1491139T2300TRIACI DE SILICIU PORT SENSIBILGeneral Electric Solid State
1491140T2300A2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 3 mA, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1491141T2300B2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 3 mA, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1491142T2300D2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 3 mA, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
1491143T2300F2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 3 mA, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1491144T2300M2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 3 mA, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1491145T2300N2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 3 mA, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1491146T2301TRIACI DE SILICIU PORT SENSIBILGeneral Electric Solid State
1491147T2301A2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 4 mA, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1491148T2301B2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 4 mA, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1491149T2301D2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 4 mA, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
1491150T2301F2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 4 mA, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1491151T2301M2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 4 mA, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1491152T2301NTIRISTORI DE CONTROL DE FAZĂetc
1491153T2301N2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta Max 4 mA, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1491154T2302TRIACI DE SILICIU PORT SENSIBILGeneral Electric Solid State
1491155T2302A2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta de max 10 mA, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1491156T2302B2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta de max 10 mA, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1491157T2302D2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta de max 10 mA, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
1491158T2302F2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta de max 10 mA, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1491159T2302M2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta de max 10 mA, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1491160T2302N2,5-un triac siliciu sensibile la poarta. Poarta de max 10 mA, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 37274 | 37275 | 37276 | 37277 | 37278 | 37279 | 37280 | 37281 | 37282 | 37283 | 37284 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com