|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 37151 | 37152 | 37153 | 37154 | 37155 | 37156 | 37157 | 37158 | 37159 | 37160 | 37161 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1486201STU11NC60PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1486202STU1224NN-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistorSamHop Microelectronics Corp.
1486203STU12N65M5NN-canal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Putere MOSFET IPAKST Microelectronics
1486204STU13005NDe înaltă tensiune postul de comutare de putere NPN tranzistorST Microelectronics
1486205STU13N60M2N-canal 600 V, 0,35 Ohm typ., 11 A MDmesh II Plus (TM) scăzut Qg Putere MOSFET în pachet IPAKST Microelectronics
1486206STU13NB60MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL MOSFET PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1486207STU13NB60PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1486208STU13NC50N-CHANNEL 500V 0,31 OHM 13A MAX220 MOSFET POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
1486209STU13NC50PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1486210STU13NM60NN-canal 600 V, 0,28 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET în pachet IPAKST Microelectronics
1486211STU14NA50N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE RAPIDĂSGS Thomson Microelectronics
1486212STU14NA50PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1486213STU14NA50PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1486214STU16N65M2N-canal 650 V, 0,32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 putere MOSFET în pachet IPAKST Microelectronics
1486215STU16NB50N-CHANNEL 500V - 0.28W - 15.6A-Max220 MOSFET PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1486216STU16NB50PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1486217STU16NC50N-CHANNEL 500V 0,22 OHM 16A MAX220 MOSFET POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
1486218STU16NC50PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1486219STU1HN60K3N-canal 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de putere în pachet IPAKST Microelectronics
1486220STU20714B3T U CIRCUIT DE INTERFAȚĂSGS Thomson Microelectronics
1486221STU2071B14B3T U CIRCUIT DE INTERFAȚĂSGS Thomson Microelectronics
1486222STU2071FN4B3T U CIRCUIT DE INTERFAȚĂSGS Thomson Microelectronics
1486223STU20N03LN-Channel Logic Level Modul de îmbunătățire E Feld Efect Transistor perfectSamHop Microelectronics Corp.
1486224STU26NM50N-CHANNEL 500V 0,10 OHM 26A TO-247 / MAX220 / MAX220I MOSFET DE PUTERE MDMESH PROTECTAT ZENERSGS Thomson Microelectronics
1486225STU26NM50IN-CHANNEL 500V 0,10 OHM 26A TO-247 / MAX220 / MAX220I MOSFET DE PUTERE MDMESH PROTECTAT ZENERSGS Thomson Microelectronics
1486226STU26NM60N-CHANNEL 600V 0.125 OHM 26A TO-247 / MAX220 / MAX220I MOSFET DE PUTERE MDMESH PROTECTAT ZENERSGS Thomson Microelectronics
1486227STU26NM60IN-CHANNEL 600V 0.125 OHM 26A TO-247 / MAX220 / MAX220I MOSFET DE PUTERE MDMESH PROTECTAT ZENERSGS Thomson Microelectronics
1486228STU2LN60K3N-canal 600 V, 4 Ohm Typ., 2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de putere în pachet IPAKST Microelectronics
1486229STU2N62K3N-canal 620 V, 3 Ohm, 2,2 A, IPAK SuperMESH3 (TM) MOSFET de putereST Microelectronics
1486230STU2N80K5N-canal 800 V, 3,5 Ohm typ., Protejat de un Zener 2 A SuperMESH (TM) MOSFET 5 putere în pachet IPAKST Microelectronics
1486231STU2N95K5N-canal 950 V, 4.2 Ohm typ., Protejat de un Zener 2 A SuperMESH (TM) MOSFET 5 putere în pachet IPAKST Microelectronics
1486232STU2NK100ZN-canal 1000 V, 6,25 Ohm, 1,85 A, SuperMESH protejat de un Zener IPAK (TM) MOSFET de putereST Microelectronics
1486233STU3055LN-Channel Logic Level Modul de îmbunătățire E Feld Efect Transistor perfectSamHop Microelectronics Corp.
1486234STU3055L2Tranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a nivelului logic al canalului NSamHop Microelectronics Corp.
1486235STU36NB20MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL MOSFET PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1486236STU36NB20N-CHANNEL 200V 0.052OHM 36A MAX220 MOSFET POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
1486237STU36NB20PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1486238STU3LN62K3N-canal 620 V, 2,5 Ohm, 2,5 A SuperMESH3 (TM) Putere MOSFET IPAKST Microelectronics
1486239STU3N45K3N-canal 450 V, 3,2 Ohm, 1,8 A, IPAK SuperMESH3 (TM) MOSFET de putereST Microelectronics
1486240STU3N62K3N-canal 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 SuperMESH3 (TM) MOSFET de putere în pachet IPAKST Microelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 37151 | 37152 | 37153 | 37154 | 37155 | 37156 | 37157 | 37158 | 37159 | 37160 | 37161 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com