|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36821 | 36822 | 36823 | 36824 | 36825 | 36826 | 36827 | 36828 | 36829 | 36830 | 36831 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1473001STD888MEDIU DE CURENT DE ÎNALTĂ PERFORMANȚĂ LOW VOLTAGE tranzistor PNPST Microelectronics
1473002STD888T4MEDIU DE CURENT DE ÎNALTĂ PERFORMANȚĂ LOW VOLTAGE tranzistor PNPST Microelectronics
1473003STD8N06PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1473004STD8N06N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1473005STD8N06PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1473006STD8N10LMOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A N-CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE PUTEREST Microelectronics
1473007STD8N65M5N-canal 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V Putere MOSFET în DPAKST Microelectronics
1473008STD8N80K5N-canal 800 V, 0,8 Ohm typ., Protejat de un Zener 6 A SuperMESH (TM) MOSFET 5 putere în pachet DPAKST Microelectronics
1473009STD8NF25N-canal 250 V, 318 mOhm typ., 8 A, STripFET (TM) II Putere MOSFET în pachet DPAKST Microelectronics
1473010STD8NM50NN-canal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET în DPAKST Microelectronics
1473011STD8NS25N-CHANNEL 250V 0,38 OHM 8A DPAK MESF MOSFET OVERLAYSGS Thomson Microelectronics
1473012STD8NS25N-CHANNEL 250V 0,38 OHM 8A DPAK MESF MOSFET OVERLAYST Microelectronics
1473013STD8NS25-1N-CHANNEL 250V 0,38 OHM 8A DPAK MESF MOSFET OVERLAYST Microelectronics
1473014STD8NS25T4N-CHANNEL 250V 0,38 OHM 8A DPAK MESF MOSFET OVERLAYST Microelectronics
1473015STD901TDe înaltă tensiune NPN Darlington tranzistor pentru bobina de aprindereST Microelectronics
1473016STD90NH02LN-CHANNEL 24V - 0,0052 OHM - 60A DPAK STRIPFET III POWER MOSFETST Microelectronics
1473017STD90NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0.0052 OHM - 60A DPAK / IPAK STRIPFET III POWER MOSFETST Microelectronics
1473018STD90NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.0052 OHM - 60A DPAK / IPAK STRIPFET III POWER MOSFETST Microelectronics
1473019STD93003HIGH VOLTAGE FAST-comutatie PNP tranzistor de putereSGS Thomson Microelectronics
1473020STD93003TRANSISTOR DE PUTERE PNP DE COMUTARE RAPIDĂ DE TENSIUNE ÎNALTĂST Microelectronics
1473021STD93003-1HIGH VOLTAGE FAST-comutatie PNP tranzistor de putereST Microelectronics
1473022STD93003T4HIGH VOLTAGE FAST-comutatie PNP tranzistor de putereST Microelectronics
1473023STD95N2LH5N-canal 25 V, 0,0038 Ohm, 80 A - DPAK, MOSFETs de putereST Microelectronics
1473024STD95N4F3N-canal 40 V, 5,0 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) III Putere MOSFETST Microelectronics
1473025STD95N4LF3N-canal 40 V, 5 mOhm, 80 A STripFET (TM) III Putere MOSFET în pachet DPAKST Microelectronics
1473026STD95NH02LN-CHANNEL 24V - 0,0039 Ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STREETFET MOSFETST Microelectronics
1473027STD95NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0,0039 Ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STREETFET MOSFETST Microelectronics
1473028STD95NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0,0039 Ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STREETFET MOSFETST Microelectronics
1473029STD96N3LLH6N-canal 30 V, 0,0037 Ohm typ., 80 A, în DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putereST Microelectronics
1473030STD9N10PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1473031STD9N10N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1473032STD9N10PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1473033STD9N10-1N-CHANNEL 100V - 0.23 & - 9A DPAK / IPAK MOSFET TRANSISTORST Microelectronics
1473034STD9N10LPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1473035STD9N10LN - CANAL 100V - 0.22Ohm - 9A IPAK / DPAK POWER MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1473036STD9N10LPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1473037STD9N40M2N-canal 400 V, 0,65 Ohm typ., 6 A MDmesh II Plus (TM) scăzut Qg Putere MOSFET în pachet DPAKST Microelectronics
1473038STD9N60M2N-canal 600 V, 0,72 Ohm typ., 5.5 A MDmesh II Plus (TM) scăzut Qg Putere MOSFET în pachet DPAKST Microelectronics
1473039STD9N65M2N-canal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 putere MOSFET în pachet DPAKST Microelectronics
1473040STD9NM40NN-canal 400 V, 0,73 Ohm typ., 5.6 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET într-un pachet DPAKST Microelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36821 | 36822 | 36823 | 36824 | 36825 | 36826 | 36827 | 36828 | 36829 | 36830 | 36831 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com