|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36811 | 36812 | 36813 | 36814 | 36815 | 36816 | 36817 | 36818 | 36819 | 36820 | 36821 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1472601STD20NE06MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL CARACTERISTICI UNICE MASFET DE PUTERE DE MĂRIMEST Microelectronics
1472602STD20NF06N-CHANNEL 60V - 0,032 OHM - 24A DPAK STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472603STD20NF06LN-CHANNEL 60V - 0,032 OHM - 24A DPAK STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472604STD20NF06L-1N-CHANNEL 60V - 0,032 OHM - 24A DPAK STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472605STD20NF06LT4N-CHANNEL 60V - 0,032 OHM - 24A DPAK STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472606STD20NF06T4N-CHANNEL 60V - 0,032 OHM - 24A DPAK STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472607STD20NF10N-CHANNEL 100V - 0,038 OHM - 30A IPAK / DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1472608STD20NF10N-CHANNEL 100V - 0,038 OHM - 30A IPAK / DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472609STD20NF10T4N-CHANNEL 100V - 0,038 OHM - 30A IPAK / DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472610STD20NF20N-canal 200V - 0.10Ohm -18A- DPAK / TO-220 / TO-220FPST Microelectronics
1472611STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0,088ohm - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETST Microelectronics
1472612STD22NM20NT4N-CHANNEL 200V - 0,088ohm - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETST Microelectronics
1472613STD25N10F7N-canal 100 V, 0,027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de putere în pachet DPAKST Microelectronics
1472614STD25NE03LN - CANAL 30V - 0,019 Ohmi - 25A - TO-251 / TO-252 MOSFET DE PUTERE STripFETSGS Thomson Microelectronics
1472615STD25NE03LMOSFET N-CANALST Microelectronics
1472616STD25NF10N-CHANNEL 100V 0,033 OHM 25A DPAK MICOSTRU DE ALIMENTARE STRIPFET DE PORȚI SCĂZUTSGS Thomson Microelectronics
1472617STD25NF10N-CHANNEL 100V 0,033 OHM 25A DPAK MICOSTRU DE ALIMENTARE STRIPFET DE PORȚI SCĂZUTST Microelectronics
1472618STD25NF10LN-CHANNEL 100V - 0,030 OHM - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472619STD25NF10LAN-canal 100 V, 0,030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET (TM) II Putere MOSFETST Microelectronics
1472620STD25NF10LT4N-CHANNEL 100V - 0,030 OHM - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472621STD25NF10T4N-CHANNEL 100V 0,033 OHM 25A DPAK MICOSTRU DE ALIMENTARE STRIPFET DE PORȚI SCĂZUTST Microelectronics
1472622STD25NF20N-canal 200 V, 0,10 Ohm typ., 18 A StripFET (TM) MOSFET de putere în pachet DPAKST Microelectronics
1472623STD26NF10N-canal 100V - 0.033Ohm - 25A - DPAKST Microelectronics
1472624STD26P3LLH6-P canal 30 V, 0,024 Ohm typ., 12 A, STripFET (TM) VI DeepGATE Putere MOSFET într-un pachet DPAKST Microelectronics
1472625STD2805De joasa tensiune postul de comutare tranzistor de putere PNPST Microelectronics
1472626STD2805T4De joasa tensiune postul de comutare tranzistor de putere PNPST Microelectronics
1472627STD29NF03LN - CANAL 30V - 0,018 Ohmi - 29A DPAK LOW PORTA INCARCARE StripFET POWER MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1472628STD29NF03LN-CHANNEL 30V - 0,015 OHM - 29A IPAK / DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1472629STD29NF03LN-CHANNEL 30V - 0,015 OHM - 29A IPAK / DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472630STD29NF03LT4N-CHANNEL 30V - 0,015 OHM - 29A IPAK / DPAK LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFETST Microelectronics
1472631STD2HNK60ZN-canal 600 V, 4,4 Ohm, protejat de un Zener 2 A SuperMESH (TM) MOSFET de putere în pachet DPAKST Microelectronics
1472632STD2HNK60Z-1N-CHANNEL 600V - 4,4 OHM - 2,0A TO-220FP / TO-92 / IPAK MOSFET DE PUTERE SUPERMESH PROTECTAT ZENERST Microelectronics
1472633STD2LN60K3N-canal 600 V, 4 Ohm Typ., 2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de putere în pachet DPAKST Microelectronics
1472634STD2N50N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1472635STD2N50MOSFET N-CANALST Microelectronics
1472636STD2N50-1PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1472637STD2N50-1PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1472638STD2N62K3N-canal 620 V, 3 Ohm typ., 2.2 SuperMESH3 (TM) MOSFET de putere în pachet DPAKST Microelectronics
1472639STD2N80K5N-canal 800 V, 3,5 Ohm typ., Protejat de un Zener 2 A SuperMESH (TM) MOSFET 5 putere în pachet DPAKST Microelectronics
1472640STD2N95K5N-canal 950 V, 4.2 Ohm typ., Protejat de un Zener 2 A SuperMESH (TM) MOSFET 5 putere în pachet DPAKST Microelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36811 | 36812 | 36813 | 36814 | 36815 | 36816 | 36817 | 36818 | 36819 | 36820 | 36821 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com