1472361 | STD110NH02L | N-CHANNEL 24V - 0,0044 OHM - 80A DPAK STRIPFET III POWER MOSFET | ST Microelectronics |
1472362 | STD110NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0,0044 Ohm - 80A DPAK STRIPFET III POWER MOSFET | ST Microelectronics |
1472363 | STD111 ASIC | Introducere | Samsung Electronic |
1472364 | STD111 ASIC | Conținutul cărții | Samsung Electronic |
1472365 | STD111 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
1472366 | STD111 ASIC | Caracteristici | Samsung Electronic |
1472367 | STD11N65M2 | N-canal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) scăzut Qg Putere MOSFET în pachet DPAK | ST Microelectronics |
1472368 | STD11N65M5 | N-canal 650 V, 0,43 Ohm, 9 A MDmesh (TM) V MOSFET de putere în pachet DPAK | ST Microelectronics |
1472369 | STD11NM50N | N-canal 500 V, 0,4 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET în DPAK | ST Microelectronics |
1472370 | STD11NM60N | N-canal 600 V, 0,37 Ohm, 10 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET într-un pachet DPAK | ST Microelectronics |
1472371 | STD11NM60ND | N-canal 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II Putere MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
1472372 | STD11NM65N | N-canal 650 V, 0,425 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET în pachet DPAK | ST Microelectronics |
1472373 | STD120N4F6 | N-canal 40 V, 3,5 mOhm, 80 A, DPAK, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere | ST Microelectronics |
1472374 | STD120N4LF6 | N-canal 40 V, 3,1 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere | ST Microelectronics |
1472375 | STD1224N | N-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistor | SamHop Microelectronics Corp. |
1472376 | STD123ASF | NPN Silicon Transistor | AUK Corp |
1472377 | STD123S | NPN Silicon Transistor | AUK Corp |
1472378 | STD123SF | NPN Silicon Transistor | AUK Corp |
1472379 | STD123U | NPN Silicon Transistor | AUK Corp |
1472380 | STD123UF | NPN Silicon Transistor | AUK Corp |
1472381 | STD127DT4 | De înaltă tensiune de comutare rapidă de putere NPN tranzistor | ST Microelectronics |
1472382 | STD129 | NPN Silicon Transistor | AUK Corp |
1472383 | STD12N05 | N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1472384 | STD12N05 | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | SGS Thomson Microelectronics |
1472385 | STD12N05 | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | ST Microelectronics |
1472386 | STD12N05L | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | SGS Thomson Microelectronics |
1472387 | STD12N05L | N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS DE PUTERE SCĂZUTĂ | SGS Thomson Microelectronics |
1472388 | STD12N05L | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | ST Microelectronics |
1472389 | STD12N06 | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | SGS Thomson Microelectronics |
1472390 | STD12N06 | N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1472391 | STD12N06 | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | ST Microelectronics |
1472392 | STD12N06L | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | SGS Thomson Microelectronics |
1472393 | STD12N06L | N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS DE PUTERE SCĂZUTĂ | SGS Thomson Microelectronics |
1472394 | STD12N06L | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | ST Microelectronics |
1472395 | STD12N10L | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | SGS Thomson Microelectronics |
1472396 | STD12N10L | N - CANAL 100V - 0,12 Ohmi - 12A PENTRU-252 TRANSISTOR MOS PUTERE PRET | SGS Thomson Microelectronics |
1472397 | STD12N10L | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | ST Microelectronics |
1472398 | STD12N65M5 | N-canal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Putere MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
1472399 | STD12NE06 | N - CANAL 60V - 0,08 Ohm - 12A - IPAK / DPAK CARACTERISTICI UNICE MASFET PUTERE | SGS Thomson Microelectronics |
1472400 | STD12NE06L | N-CHANNEL 60V - 0,09 OHM - 12A IPAK / DPAK STRIPFET POWER MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |