|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 34734 | 34735 | 34736 | 34737 | 34738 | 34739 | 34740 | 34741 | 34742 | 34743 | 34744 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1389521SGS5N150UFIGBTFairchild Semiconductor
1389522SGS5N150UFTUIGBT discret, de înaltă performanțăFairchild Semiconductor
1389523SGS5N60RUFIGBT cu scurtcircuitFairchild Semiconductor
1389524SGS5N60RUFDIGBT cu scurtcircuitFairchild Semiconductor
1389525SGS5N60RUFDTUIGBT discret, cu scurtcircuit, cu diodăFairchild Semiconductor
1389526SGS6N60IGBT ultra-rapidFairchild Semiconductor
1389527SGS6N60UFIGBT ultra-rapidFairchild Semiconductor
1389528SGS6N60UFDIGBT ultra-rapidFairchild Semiconductor
1389529SGS6N60UFDTUIGBT discret, de înaltă performanță cu diodăFairchild Semiconductor
1389530SGS6N60UFTUIGBT discret, de înaltă performanțăFairchild Semiconductor
1389531SGSD100TRANZISTOARE SUPLIMENTARE Silicon Power DarlingtonSGS Thomson Microelectronics
1389532SGSD100SILICIU COMPLEMENTAR, TRANSISTORI DE PUTERE DARLINGTONSGS Thomson Microelectronics
1389533SGSD100TRANSISTORE DARLINGTON PENTRU SILICIU COMPLEMENTARST Microelectronics
1389534SGSD200TRANZISTOARE SUPLIMENTARE Silicon Power DarlingtonSGS Thomson Microelectronics
1389535SGSD200SILICIU COMPLEMENTAR, TRANSISTORI DE PUTERE DARLINGTONSGS Thomson Microelectronics
1389536SGSD200TRANSISTORE DARLINGTON PENTRU SILICIU COMPLEMENTARST Microelectronics
1389537SGSD310150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; de înaltă tensiune, de mare putere, rapid siliciu de comutare plan multiepitaxial NPN tranzistorSGS Thomson Microelectronics
1389538SGSD311150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; de înaltă tensiune, de mare putere, rapid siliciu de comutare plan multiepitaxial NPN tranzistorSGS Thomson Microelectronics
1389539SGSD311FI150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; de înaltă tensiune, de mare putere, rapid siliciu de comutare plan multiepitaxial NPN tranzistorSGS Thomson Microelectronics
1389540SGSF344V (CES): 1200V; V (CEO): 600V; V (EBO): 7V; 7A; 85W; de înaltă tensiune de comutație rapidă, putere NPN tranzistor. Pentru modul de comutare surse de alimentare, deviere orizontală pentru culoare TVsand monitoareSGS Thomson Microelectronics
1389541SGSF461125W; V (SEC): 850V; V (CEO): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; comutator rapid gol-emițător NPN tranzistor. Pentru SMPSSGS Thomson Microelectronics
1389542SGSF561150W; V (SEC): 850V; V (CEO): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; comutator rapid gol-emițător NPN tranzistor. Pentru SMPSSGS Thomson Microelectronics
1389543SGSIF344NPN tranzistor de putere pentru modul de comutare surse de alimentare și de deflexie pe orizontală pentru TV color si aplicatii monitoare, 40WSGS Thomson Microelectronics
1389544SGSIF344TRANSISTORE DE PUTERE NPN CU TENSIUNE RAPIDĂST Microelectronics
1389545SGSIF344FPHIGH VOLTAGE FAST-switching NPN tranzistor de putereSGS Thomson Microelectronics
1389546SGSIF344FPHIGH VOLTAGE FAST-switching NPN tranzistor de putereST Microelectronics
1389547SGSIF444NPN tranzistor de putere pentru modul de comutare surse de alimentare și de deflexie pe orizontală pentru TV color si aplicatii monitoare, 50WSGS Thomson Microelectronics
1389548SGSIF444TRANSISTORE DE PUTERE NPN CU TENSIUNE RAPIDĂST Microelectronics
1389549SGSIF46165W; V (SEC): 850V; V (CEO): 400V; V (EBO): 7V; I (c): 15A; comutator rapid gol-emițător NPN tranzistor. Pentru SMPSSGS Thomson Microelectronics
1389550SGSP216N-canal MOS de putere tranzistor, 250V, 6ASGS Thomson Microelectronics
1389551SGSP216TRANSISTORI MOS PUTERE N-CANALST Microelectronics
1389552SGSP217N-canal MOS de putere tranzistor, 200V, 6ASGS Thomson Microelectronics
1389553SGSP217TRANSISTORI MOS PUTERE N-CANALST Microelectronics
1389554SGSP316N-canal MOS de putere tranzistor, 250V, 6ASGS Thomson Microelectronics
1389555SGSP316TRANSISTORI MOS PUTERE N-CANALST Microelectronics
1389556SGSP317N-canal MOS de putere tranzistor, 200V, 6ASGS Thomson Microelectronics
1389557SGSP317TRANSISTORI MOS PUTERE N-CANALST Microelectronics
1389558SGSP477Tranzistor MOS de putere pentru modul de îmbunătățire a canalului NST Microelectronics
1389559SGSP477CHIPTranzistor MOS de putere pentru modul de îmbunătățire a canalului N în formă de matrițăST Microelectronics
1389560SGSP516N-canal MOS de putere tranzistor, 250V, 6ASGS Thomson Microelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 34734 | 34735 | 34736 | 34737 | 34738 | 34739 | 34740 | 34741 | 34742 | 34743 | 34744 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com