|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 30905 | 30906 | 30907 | 30908 | 30909 | 30910 | 30911 | 30912 | 30913 | 30914 | 30915 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1236361P2703UB230 V, dispozitiv sidactor echilibrat trei-chipTeccor Electronics
1236362P2703UC230 V, dispozitiv sidactor echilibrat trei-chipTeccor Electronics
1236363P2703Zdispozitive de tip sticlă solidăTeccor Electronics
1236364P2706Udispozitive de tip sticlă solidăTeccor Electronics
1236365P2706UA230 V, multiport balanced sidactor deviceTeccor Electronics
1236366P2706UB230 V, multiport balanced sidactor deviceTeccor Electronics
1236367P2706UC230 V, multiport balanced sidactor deviceTeccor Electronics
1236368P2748Detector fotoconductor MCTHamamatsu Corporation
1236369P2748-40Detector fotoconductor MCTHamamatsu Corporation
1236370P2748-41Detector fotoconductor MCTHamamatsu Corporation
1236371P2748-42Detector fotoconductor MCTHamamatsu Corporation
1236372P27500.2mW; curent admisibil: 6mA; MCT detector fotoconductor: de tip non-a răcit și TE-a răcit adecvat pentru funcționarea lung, continuuHamamatsu Corporation
1236373P2750-060.2mW; curent admisibil: 3mA; MCT detector fotoconductor: de tip non-a răcit și TE-a răcit adecvat pentru funcționarea lung, continuuHamamatsu Corporation
1236374P2750-080.2mW; curent admisibil: 6mA; MCT detector fotoconductor: de tip non-a răcit și TE-a răcit adecvat pentru funcționarea lung, continuuHamamatsu Corporation
1236375P2781General Purpose EMI Reduction ICON Semiconductor
1236376P27VBDiodele Zener de putere plană siliciuHoney Technology
1236377P27VBDiodele Zener de putere plană siliciuSemtech
1236378P281MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A PORȚILOR DE SILICON METALIZAT CU AUR Brevetat PUTERE RF TRANSISTOR VDMOSPolyfet RF Devices
1236379P2811Low Power EMI Reduction ICON Semiconductor
1236380P2811A-08SR3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236381P2811A-08ST3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236382P2811A-08TR3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236383P2811A-08TT3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236384P2812A-08SR3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236385P2812A-08ST3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236386P2812A-08TR3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236387P2812A-08TT3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236388P2814A-08SR3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236389P2814A-08ST3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236390P2814A-08TR3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236391P2814A-08TT3,3 V, 10 MHz până la 40 MHz, low-power EMI reducere ICAlliance Semiconductor
1236392P282MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A PORȚILOR DE SILICON METALIZAT CU AUR Brevetat PUTERE RF TRANSISTOR VDMOSPolyfet RF Devices
1236393P28F001BN-B1201-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 120 nsIntel
1236394P28F001BN-B1501-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 150 nsIntel
1236395P28F001BN-B701-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 70 nsIntel
1236396P28F001BN-B901-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 90 nsIntel
1236397P28F001BN-T1201-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 120 nsIntel
1236398P28F001BN-T1501-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 150 nsIntel
1236399P28F001BN-T701-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 70 nsIntel
1236400P28F001BN-T901-Mbit (128K x 8) bloc de boot de memorie flash. Viteză de acces de 90 nsIntel
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 30905 | 30906 | 30907 | 30908 | 30909 | 30910 | 30911 | 30912 | 30913 | 30914 | 30915 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com