|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 30013 | 30014 | 30015 | 30016 | 30017 | 30018 | 30019 | 30020 | 30021 | 30022 | 30023 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1200681NDF653Diodă de recuperare rapidăDynex Semiconductor
1200682NDF65310Diodă de recuperare rapidăDynex Semiconductor
1200683NDF65312Diodă de recuperare rapidăDynex Semiconductor
1200684NDF65314Diodă de recuperare rapidăDynex Semiconductor
1200685NDF65316Diodă de recuperare rapidăDynex Semiconductor
1200686NDF7-17P-2.54DSAConector tip intrare în partea inferioară de 2,54 mmHirose Electric
1200687NDF7000AN-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistorNational Semiconductor
1200688NDH8301NDublu N-canal Enhancement Mode efect de câmp tranzistor [Nu este recomandat pentru noi modele]Fairchild Semiconductor
1200689NDH8301NTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N dualNational Semiconductor
1200690NDH8302PTranzistoare cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului PNational Semiconductor
1200691NDH8303NDublu N-canal Enhancement Mode efect de câmp tranzistor [Nu este recomandat pentru noi modele]Fairchild Semiconductor
1200692NDH8303NTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N dualNational Semiconductor
1200693NDH8303NTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N dualNational Semiconductor
1200694NDH8304Tranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualFairchild Semiconductor
1200695NDH8304PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualFairchild Semiconductor
1200696NDH8304PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualNational Semiconductor
1200697NDH8304P_NLTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualFairchild Semiconductor
1200698NDH831NN-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistorFairchild Semiconductor
1200699NDH831NN-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistorNational Semiconductor
1200700NDH8320CDual N & P-canal Enhancement Mode Domeniul EffectTransistor [Nu este recomandat pentru noi modele]Fairchild Semiconductor
1200701NDH8320CTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N & P dualNational Semiconductor
1200702NDH8321CTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N & P dualFairchild Semiconductor
1200703NDH832PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului PFairchild Semiconductor
1200704NDH833NLungime / Inaltime 1.02 mm Lățime 4.55 mm Adâncime 4,06 mm Puterea disipată de 1,8 W tranzistor polaritate N Codul canalului curent cont. 7,1 A Tensiune Vgs-lea max. 2,7 V tensiune VDS max 20 VFairchild Semiconductor
1200705NDH833NN-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistorNational Semiconductor
1200706NDH834PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului PFairchild Semiconductor
1200707NDH834PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului PNational Semiconductor
1200708NDH8436Lungime / Inaltime 1.02 mm Lățime 4.55 mm Adâncime 4,06 mm Puterea disipată de 1,8 W tranzistor polaritate N Codul canalului curent cont. 5,8 A Tensiune Vgs-lea max. 4,5 V Tensiune Vds max 30 VFairchild Semiconductor
1200709NDH8436Tranzistoare cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului NNational Semiconductor
1200710NDH8447Tranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului PFairchild Semiconductor
1200711NDH8501NTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N dualNational Semiconductor
1200712NDH8502PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualFairchild Semiconductor
1200713NDH8502PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualNational Semiconductor
1200714NDH8502PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualNational Semiconductor
1200715NDH8503NDublu N-canal Enhancement Mode efect de câmp tranzistor [învechite]Fairchild Semiconductor
1200716NDH8503NTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N dualNational Semiconductor
1200717NDH8504PP-canal dublu Enhancement Mode efect de câmp tranzistor [Nu este recomandat pentru noi modele]Fairchild Semiconductor
1200718NDH8504PTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului P dualNational Semiconductor
1200719NDH8505NTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N dualNational Semiconductor
1200720NDH8507NTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N dualNational Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 30013 | 30014 | 30015 | 30016 | 30017 | 30018 | 30019 | 30020 | 30021 | 30022 | 30023 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com