|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29041 | 29042 | 29043 | 29044 | 29045 | 29046 | 29047 | 29048 | 29049 | 29050 | 29051 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1161801MRF325TRANSISTOR DE PUTERE RF BANDĂ LARGĂ NPN SILICIUMotorola
1161802MRF326TRANSISTOR DE PUTERE RF BANDĂ LARGĂ NPN SILICIUMotorola
1161803MRF32780 W, 100-500 MHz, tranzistor de putere RF NPN siliciuMA-Com
1161804MRF327TRANSISTOR DE PUTERE RF BANDĂ LARGĂ NPN SILICIUMotorola
1161805MRF327Trans GP BJT NPN 33V 9A Carcasă cu 4 pini 316-01New Jersey Semiconductor
1161806MRF327Linia RF NPN Silicon RF Power TransistorTyco Electronics
1161807MRF329TRANSISTOR DE PUTERE RF BANDĂ LARGĂ NPN SILICIUMotorola
1161808MRF329Tranzistor bipolarNew Jersey Semiconductor
1161809MRF331Linia RFMotorola
1161810MRF338TRANSISTOR DE PUTERE RF BANDĂ LARGĂ NPN SILICIUMotorola
1161811MRF340NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
1161812MRF372470–860 MHz, 180 W, 32 V MOSFET de putere RF cu canal N lateralFreescale (Motorola)
1161813MRF372MRF372 470-860 MHz, 180 W, MOSFET de putere RF cu canal N lateral 32 VMotorola
1161814MRF372DLINIA MOSFET RF TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE RFMotorola
1161815MRF373AMRF373AR1, MRF373ALSR1 470-860 MHz, 75 W, 32 V MOSFET-uri cu bandă largă N-Channel lateralăMotorola
1161816MRF373ALR1470–860 MHz, 75 W, 32 V MOSFET lateral cu bandă largă N-Channel în bandă largăFreescale (Motorola)
1161817MRF373ALR1Tranzistoare cu efect de câmp de putere RFMotorola
1161818MRF373ALSR1470–860 MHz, 75 W, 32 V MOSFET lateral cu bandă largă N-Channel în bandă largăFreescale (Motorola)
1161819MRF373ALSR1Tranzistoare cu efect de câmp de putere RFMotorola
1161820MRF373AR1TRANSISTORE DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE RFMotorola
1161821MRF373ASR1TRANSISTORE DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE RFMotorola
1161822MRF373_DMRF373R1, MRF373SR1 470-860 MHz, 60 W, 28 V MOSFET cu bandă largă cu bandă largă N-ChannelMotorola
1161823MRF374Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A Carcasă cu 5 pini 375F-04New Jersey Semiconductor
1161824MRF374AMOSFET 470–860 MHz, 130 W, 32 V lateral N-Channel în bandă largă RF MOSFETFreescale (Motorola)
1161825MRF374AMRF374A 470-860 MHz, 130 W, 32 V MOSFET de bandă largă N-Channel lateralMotorola
1161826MRF374_DMRF374 470-860 MHz, 100 W, 28 V MOSFET de bandă largă cu bandă largă N-Channel RFMotorola
1161827MRF377470–860 MHz, 240 W, 32 V MOSFET de alimentare RF cu canal N lateralFreescale (Motorola)
1161828MRF377MRF377, MRF377R3, MRF377R5 470-860 MHz, 240 W, 32 V MOSFET de putere RF cu canal N lateralMotorola
1161829MRF377HR3MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului NFreescale (Motorola)
1161830MRF377HR5MOSFET-uri laterale în modul de îmbunătățire a canalului NFreescale (Motorola)
1161831MRF377R3TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP PUTERE RFMotorola
1161832MRF377R5TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP PUTERE RFMotorola
1161833MRF3866RF NPN TransistorMicrosemi
1161834MRF3866TRANSISTORE DE ÎNALTĂ FRECVENȚĂ SILICON NPNMotorola
1161835MRF3866R1RF NPN TransistorMicrosemi
1161836MRF3866R2RF NPN TransistorMicrosemi
1161837MRF3866R2NPN siliciu de înaltă frecvență tranzistorMotorola
1161838MRF390NPN SILICON RF POWER TRANSISTORAdvanced Semiconductor
1161839MRF392125 W, 3-50 MHz, tranzistor de putere RF NPN siliciuMA-Com
1161840MRF392TRANSISTOR DE PUTERE RF PANDĂ LARGĂ PUSH-PULL NPN SILICIUMotorola
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29041 | 29042 | 29043 | 29044 | 29045 | 29046 | 29047 | 29048 | 29049 | 29050 | 29051 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com