|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28453 | 28454 | 28455 | 28456 | 28457 | 28458 | 28459 | 28460 | 28461 | 28462 | 28463 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1138281MJE17212.500W medie de putere PNP Transistor Plastic plumb. 80V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
1138282MJE172PNP Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
1138283MJE172TRANSISTORE DE PUTERE (3.0A, 40-80V, 12.5W)MOSPEC Semiconductor
1138284MJE1723 TRANSISTORI DE PUTERE AMPERE SILICIU COMPLEMENTAR 60-80 VOLȚI 12,5 WATTSMotorola
1138285MJE172Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin TO-126 CutieNew Jersey Semiconductor
1138286MJE172Putere 3A 80V PNPON Semiconductor
1138287MJE172-100 V, -1 A, PNP epitaxial de siliciu tranzistorSamsung Electronic
1138288MJE172Pachet tranzistori de putere PNP silicon TO-126Savantic
1138289MJE172TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
1138290MJE172TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
1138291MJE172TRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
1138292MJE172STUPNP Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
1138293MJE180Tranzistor de putere cu plumb Scop generalCentral Semiconductor
1138294MJE18012.500W medie de putere NPN Transistor de plastic cu plumb. 40V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
1138295MJE180NPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
1138296MJE180TRANSISTORE DE PUTERE (3.0A, 40-80V, 12.5W)MOSPEC Semiconductor
1138297MJE180Trans GP BJT NPN 40V 3A 3-Pin TO-126 CutieNew Jersey Semiconductor
1138298MJE18060 V, 3 A, NPN epitaxial de siliciu tranzistorSamsung Electronic
1138299MJE180Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-126Savantic
1138300MJE18002PUTERE TRANSISTOR 2.0 AMPERI 1000 VOLȚI 25 și 50 WATTSMotorola
1138301MJE18002Switchmode ™ON Semiconductor
1138302MJE18002Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220Savantic
1138303MJE18002-DSWITCHMODE NPN tranzistor de putere bipolar pentru aplicații de alimentare cu comutareON Semiconductor
1138304MJE18002D2TRANSISTORE DE PUTERE 2 AMPERI 1000 VOLȚI 50 WATTSMotorola
1138305MJE18002D2De mare viteză, High Gain Bipolar NPN tranzistor de putere cu integrat colector-emițător Diode și Built-In eficientă Antisaturation de rețeaON Semiconductor
1138306MJE18002D2-DTranzistor de putere NPN bipolar de mare viteză, cu câștig ridicat cu diodă integrată colector-emițător și rețea de antisaturare eficientă încorporată TRANSISTORI DE PUTERE 2 AMPERI 1000 VOLȚI 50 WATTSON Semiconductor
1138307MJE18004TRANSISTOR DE PUTERE 5,0 AMPERI 1000 VOLȚI 35 și 75 WATTSMotorola
1138308MJE18004Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin (3 + Tab) TO-220AB RailNew Jersey Semiconductor
1138309MJE18004Switchmode ™ON Semiconductor
1138310MJE18004Switchmode ™ON Semiconductor
1138311MJE18004Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220Savantic
1138312MJE18004-DSWITCHMODE NPN tranzistor de putere bipolar pentru aplicații de alimentare cu comutareON Semiconductor
1138313MJE18004D2TRANSISTORI DE PUTERE 5 AMPERI 1000 VOLȚI 75 WATTSMotorola
1138314MJE18004D2Tranzistor de putere NPN bipolar de mare viteză, cu câștig ridicat, cu diodă integrată colector-emițător și antisaturare eficientă încorporată ...ON Semiconductor
1138315MJE18004D2Tranzistor de putere NPN bipolar de mare viteză, cu câștig ridicat, cu diodă integrată colector-emițător și antisaturare eficientă încorporată ...ON Semiconductor
1138316MJE18004D2-DTranzistor de putere NPN bipolar de mare viteză, cu câștig ridicat, cu diodă integrată colector-emițător și rețea de antisaturare eficientă încorporată TRANSISTORI DE PUTERE 5 AMPERI 1000 VOLȚI 75 WATTSON Semiconductor
1138317MJE18006TRANSISTOR DE PUTERE 6,0 AMPERI 1000 VOLȚI 40 și 100 WATTSMotorola
1138318MJE18006Trans GP BJT NPN 450V 6A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220ABNew Jersey Semiconductor
1138319MJE18006Putere 8A 450V NPNON Semiconductor
1138320MJE18006Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220CSavantic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 28453 | 28454 | 28455 | 28456 | 28457 | 28458 | 28459 | 28460 | 28461 | 28462 | 28463 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com