|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Alliance Semiconductor

Datasheet Catalog - Pagina 5

Datasheet-uri găsite :: 2123Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
Nr.NumeDescriere
201AS4C256K16F0-30JI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 30ns timp de acces RAS
202AS4C256K16F0-30TC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 30ns timp de acces RAS
203AS4C256K16F0-30TI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 30ns timp de acces RAS
204AS4C256K16F0-35JC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 35ns timp de acces RAS
205AS4C256K16F0-35JI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 35ns timp de acces RAS
206AS4C256K16F0-35TC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 35ns timp de acces RAS
207AS4C256K16F0-35TI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 35ns timp de acces RAS
208AS4C256K16F0-50JC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 50ns timp de acces RAS
209AS4C256K16F0-50JI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 50ns timp de acces RAS
210AS4C256K16F0-50TC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 50ns timp de acces RAS
211AS4C256K16F0-50TI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mod pagina de rapid), 50ns timp de acces RAS
212AS4C256K16FO5V 256K x 16 CMOS DRAM (Mod pagină rapidă)
213AS4C4M4E1QFamilia 4M x 4 CMOS QuadCAS DRAM (EDO)
214AS4C4M4EOQFamilia 4M x 4 CMOS QuadCAS DRAM (EDO)
215AS4C4M4F05V 4M x 4 CMOS DRAM (modul Pagină rapidă)
216AS4C4M4F15V 4M x 4 CMOS DRAM (modul Pagină rapidă)
217AS4LC1M16E53V 1M x 16 CMOS DRAM (EDO)
218AS4LC1M16E5-50JCDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
219AS4LC1M16E5-50JIDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
220AS4LC1M16E5-50TCDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
221AS4LC1M16E5-50TIDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
222AS4LC1M16E5-60JCDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
223AS4LC1M16E5-60JIDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
224AS4LC1M16E5-60TCDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
225AS4LC1M16E5-60TIDRAM 3V 1M X 6 CMOS (EDO)
226AS4LC1M16S1DRAM sincron 3,3V 2Mx8 / 1Mx16 CMOS
227AS4LC256K16E0-35JC3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 35ns timp RAS de acces
228AS4LC256K16E0-35TC3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 35ns timp RAS de acces
229AS4LC256K16E0-45JC3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 45ns timp RAS de acces
230AS4LC256K16E0-45TC3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 45ns timp RAS de acces
231AS4LC256K16E0-60JC3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns timp RAS de acces
232AS4LC256K16E0-60TC3.3V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 60ns timp RAS de acces
233AS4LC256K16EO3,3V 256K x 16 CMOS DRAM (EDO)
234AS4LC2M8S1DRAM sincron 3,3V 2Mx8 / 1Mx16 CMOS
235AS4LC4M16S0DRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
236AS4LC4M16S0DRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
237AS4LC4M16S0-10FTCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
238AS4LC4M16S0-10TCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
239AS4LC4M16S0-75TCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
240AS4LC4M16S0-8TCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
241AS4LC4M4E0Familie 4M x 4 CMOS DRAM (EDO)
242AS4LC4M4E1Familie 4M x 4 CMOS DRAM (EDO)
243AS4LC8M8S0DRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
244AS4LC8M8S0DRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
245AS4LC8M8S0-10FTCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
246AS4LC8M8S0-10TCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
247AS4LC8M8S0-75TCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
248AS4LC8M8S0-8TCDRAM sincron 3.3V 4Mx16 și 8Mx8 CMOS
249AS6UA256162.3V la 3.6V 256K x 16 Intelliwatt low-power CMOS SRAM cu un singur cip permite
250AS6UA25616-BC2,3V până la 3,6V 256K ¡¿16 Intelliwatt ¢ â CMOS SRAM de consum redus cu o singură activare a cipului
Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 20 | 30 | 40 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/alliancesemiconductor/1/