TPS2105DG4 este fabricat de:
|
MOSFET cu intrare / ieșire duală de 2,7-5,5 V, intrare auxiliară principală de 0,5 A / 0,1 A, activare la nivel înalt, temperatură industrială. 8-SOIC Alte componente care au același fișier pentru datasheet: TPS2105, TPS2105D, TPS2105DBVR, TPS2105DBVRG4, TPS2105DBVT |
Downloadează sau descarcă TPS2105DG4 datasheet de la Texas Instruments |
PDF 432 kb |
TPS2105DBVTG4 | Vezi TPS2105DG4 în catalogul nostru | TPS2105DR |