|
TPS2100DR este fabricat de:
|
| MOSFET cu intrare / ieșire duală de 2,7-4V, intrare auxiliară principală 0,5A / intrare auxiliară 0,01A, activare activă scăzută, com. Temp. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: TPS2100D, TPS2101DR |
Downloadează sau descarcă TPS2100DR datasheet de la Texas Instruments |
pdf 320 kb |
| TPS2100DBVT | Vezi TPS2100DR în catalogul nostru | TPS2101 |