TC55257BTRL-10L datasheet sau date tehnice în format pdf - 100ns; V (dd / in): -0.3 la + 7.0V; Silicon CMOS rasfatata: 32.768 cuvânt x 8-bit RAM staic

TC55257BTRL-10L este fabricat de:

100ns; V (dd / in): -0.3 la + 7.0V; Silicon CMOS rasfatata: 32.768 cuvânt x 8-bit RAM staic

Alte componente care au același fișier pentru datasheet:
TC55257BPL-85L, TC55257BSPL-10L

Downloadează sau descarcă TC55257BTRL-10L datasheet de la
TOSHIBA

pdf
429 kb

TC55257BSPL-85L

Vezi TC55257BTRL-10L în catalogul nostru

TC55257BTRL-85L