TC5012BP datasheet sau date tehnice în format pdf - V (dd): -0.5 la + 20V; V (în): -0.5 la + 0.5V; 10mA; C2MOS digitale integarted siliciu de circuit monolitic

TC5012BP este fabricat de:

	V (dd): -0.5 la + 20V; V (în): -0.5 la + 0.5V; 10mA; C2MOS digitale integarted siliciu de circuit monolitic	Downloadează sau descarcă TC5012BP datasheet de la TOSHIBA	pdf 177 kb
	CMOS CIRCUIT INTEGRAT DIGITAL SILICIU MONOLITIC	Downloadează sau descarcă TC5012BP datasheet de la Unknow	pdf 176 kb

Vezi TC5012BP în catalogul nostru