STGW25M120DF3 datasheet sau date tehnice în format pdf - Gate Trench câmp-stop IGBT, seria M 1200 V, 25 A pierderi reduse

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

STGW25M120DF3 este fabricat de:

Gate Trench câmp-stop IGBT, seria M 1200 V, 25 A pierderi reduse

Alte componente care au același fișier pentru datasheet:
STGWA25M120DF3

Downloadează sau descarcă STGW25M120DF3 datasheet de la
ST Microelectronics

pdf
1026 kb

Vezi STGW25M120DF3 în catalogul nostru