|
PSMN165-200K este fabricat de:
|
| N-canal TrenchMOS SiliconMAX nivel standard FET | Downloadează sau descarcă PSMN165-200K datasheet de la NXP Semiconductors |
pdf 222 kb |
| Tranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a canalului N | Downloadează sau descarcă PSMN165-200K datasheet de la Philips |
pdf 112 kb |
| PSMN155-200K | Vezi PSMN165-200K în catalogul nostru | PSMN1R0-25YLD |