PDTD113ET datasheet sau date tehnice în format pdf - NPN 500 mA, 50 V echipat rezistor tranzistori; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm

PDTD113ET este fabricat de:

	NPN 500 mA, 50 V echipat rezistor tranzistori; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm	Downloadează sau descarcă PDTD113ET datasheet de la Nexperia	pdf 240 kb
	NPN 500 mA, 50 V echipat rezistor tranzistori; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm	Downloadează sau descarcă PDTD113ET datasheet de la NXP Semiconductors	pdf 118 kb

Vezi PDTD113ET în catalogul nostru