MTP1N100E-D datasheet sau date tehnice în format pdf - TMOS E-FET Tranzistor cu efect de câmp de putere Îmbunătățirea canalului N - Poartă din silicon în mod

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

MTP1N100E-D este fabricat de:

TMOS E-FET Tranzistor cu efect de câmp de putere Îmbunătățirea canalului N - Poartă din silicon în mod

Downloadează sau descarcă MTP1N100E-D datasheet de la
ON Semiconductor

PDF
209 kb

Vezi MTP1N100E-D în catalogul nostru