MTM12P06 datasheet sau date tehnice în format pdf - P-CHANNEL MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE SILICON GATE TRANSISTOR DE EFECT CÂMP PUTERE TMOS

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

MTM12P06 este fabricat de:

P-CHANNEL MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE SILICON GATE TRANSISTOR DE EFECT CÂMP PUTERE TMOS

Alte componente care au același fișier pentru datasheet:
MTM12P10

Downloadează sau descarcă MTM12P06 datasheet de la
New Jersey Semiconductor

pdf
97 kb

Vezi MTM12P06 în catalogul nostru