MTD20N06V-D datasheet sau date tehnice în format pdf - Tranzistor DPAK cu efect de câmp de putere TMOS V pentru poartă din silicon cu montare pe suprafață în modul de îmbunătățire a canalului N

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

MTD20N06V-D este fabricat de:

Tranzistor DPAK cu efect de câmp de putere TMOS V pentru poartă din silicon cu montare pe suprafață în modul de îmbunătățire a canalului N

Downloadează sau descarcă MTD20N06V-D datasheet de la
ON Semiconductor

PDF
263 kb

Vezi MTD20N06V-D în catalogul nostru