MTB6N60E1 este fabricat de:
|
TMOS POWER FET 6,0 AMPERI 600 VOLȚI | Downloadează sau descarcă MTB6N60E1 datasheet de la Motorola |
pdf 167 kb |
|
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | Downloadează sau descarcă MTB6N60E1 datasheet de la ON Semiconductor |
PDF 210 kb |
MTB6N60E | Vezi MTB6N60E1 în catalogul nostru | MTB6N60E1-D |