MGP11N60E-D datasheet sau date tehnice în format pdf - Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

MGP11N60E-D este fabricat de:

Poartă izolată cu tranzistor bipolar Poartă din silicon în N-Channel Enhancement-Mode

Downloadează sau descarcă MGP11N60E-D datasheet de la
ON Semiconductor

PDF
113 kb

Vezi MGP11N60E-D în catalogul nostru