K6R1008V1D-J(T)C(I)08_10 este fabricat de:
|
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM (3.3V de operare), operat la comerciale si industriale intervale de temperatură. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K6R1004C1D-JC(I)10_12, K6R1004V1D-JC(I)08_10, K6R1008C1D-J(T)C(I)10_12 |
Downloadează sau descarcă K6R1008V1D-J(T)C(I)08_10 datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 263 kb |
K6R1008V1D-J(T)C(I)08 | Vezi K6R1008V1D-J(T)C(I)08_10 în catalogul nostru | K6R1008V1D-J(T)C(I)10 |